光子学报, 2018, 47 (5): 0523001, 网络出版: 2018-09-07
用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿
Using Etch Well to Suppress Edge Breakdown of Planar-type InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiodes
基本信息
DOI: | 10.3788/gzxb20184705.0523001 |
中图分类号: | TN215 |
栏目: | |
项目基金: | 国家重点研发计划(No.2016YFB0402404)和国家自然科学基金(Nos.61674136, 61635010, 61435002)资助 |
收稿日期: | 2017-12-14 |
修改稿日期: | 2018-01-16 |
网络出版日期: | 2018-09-07 |
通讯作者: | 侯丽丽 (houlili@semi.ac.cn) |
备注: | -- |
侯丽丽, 韩勤, 李彬, 王帅, 叶焓. 用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿[J]. 光子学报, 2018, 47(5): 0523001. HOU Li-li, HAN Qin, LI Bin, WANG Shuai, YE Han. Using Etch Well to Suppress Edge Breakdown of Planar-type InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiodes[J]. ACTA PHOTONICA SINICA, 2018, 47(5): 0523001.