光子学报, 2018, 47 (5): 0523001, 网络出版: 2018-09-07
用刻蚀坑方法抑制平面型InGaAs/InP盖革模式APD的边缘击穿
Using Etch Well to Suppress Edge Breakdown of Planar-type InGaAs/InP Geiger Mode Avalanche Photodiodes
雪崩光电二极管 光探测器 离化积分 电场击穿 刻蚀 反应离子刻蚀 盖革计数 Avalanche photodiodes Photodetectors Ionization integral Electric breakdown Etching Reactive ion etching Geiger counters
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