液晶与显示, 2009, 24 (1): 52, 网络出版: 2010-01-22
掺杂及工艺条件对室温制备ZnO:Al性能的影响
Influence of Doping Content and Sputtering Parameter on Resistivity and Transmittancce of ZnO:Al Thin Films Prepared by DC Magnetron Sputtering at Room Temperature
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | O484 |
栏目: | 器件制备技术及器件物理 |
项目基金: | 广西高校百名中青年学科带头人资助计划项目(No.RC20060809014)。 |
收稿日期: | 2008-08-04 |
修改稿日期: | 2008-09-04 |
网络出版日期: | 2010-01-22 |
通讯作者: | 任明放 (wh65@guet.edu.cn) |
备注: | -- |
任明放, 王华, 许积文, 杨玲. 掺杂及工艺条件对室温制备ZnO:Al性能的影响[J]. 液晶与显示, 2009, 24(1): 52. REN Ming-fang, WANG Hua, XU Ji-wen, YANG Ling. Influence of Doping Content and Sputtering Parameter on Resistivity and Transmittancce of ZnO:Al Thin Films Prepared by DC Magnetron Sputtering at Room Temperature[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2009, 24(1): 52.