发光学报, 2018, 39 (3): 356, 网络出版: 2018-04-09
掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究
Bistable Memory Devices Based on Fullerenes Derivative Doped Resistive Memory Properties
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20183903.0356 |
| 中图分类号: | TP394.1;TH691.9 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(51462003)资助项目 |
| 收稿日期: | 2017-07-11 |
| 修改稿日期: | 2017-08-19 |
| 网络出版日期: | 2018-04-09 |
| 通讯作者: | 李静玉 (lijingyu0806@126.com) |
| 备注: | -- |
李静玉, 林青, 章婷, 邓朝勇. 掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究[J]. 发光学报, 2018, 39(3): 356. LI Jing-yu, LIN Qing, ZHANG Ting, DENG Chao-yong. Bistable Memory Devices Based on Fullerenes Derivative Doped Resistive Memory Properties[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(3): 356.
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