发光学报, 2018, 39 (3): 356, 网络出版: 2018-04-09  

掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究

Bistable Memory Devices Based on Fullerenes Derivative Doped Resistive Memory Properties
作者单位
1 北京理工大学 光电学院, 北京 100081
2 贵州大学 大数据与信息工程学院, 贵州 贵阳 550025
补充材料

李静玉, 林青, 章婷, 邓朝勇. 掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究[J]. 发光学报, 2018, 39(3): 356. LI Jing-yu, LIN Qing, ZHANG Ting, DENG Chao-yong. Bistable Memory Devices Based on Fullerenes Derivative Doped Resistive Memory Properties[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(3): 356.

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