发光学报, 2018, 39 (3): 356, 网络出版: 2018-04-09
掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究
Bistable Memory Devices Based on Fullerenes Derivative Doped Resistive Memory Properties
知识挖掘
相关论文
2022年
2021年
2015年
2013年
2012年
2011年
2010年
2009年
本文相似领域研究进展,
知识服务
本文主要研究领域论文发表情况:
本文研究领域论文发表情况(统计图):
李静玉, 林青, 章婷, 邓朝勇. 掺杂富勒烯衍生物阻变存储器存储性质的调控研究[J]. 发光学报, 2018, 39(3): 356. LI Jing-yu, LIN Qing, ZHANG Ting, DENG Chao-yong. Bistable Memory Devices Based on Fullerenes Derivative Doped Resistive Memory Properties[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(3): 356.