发光学报, 2016, 37 (5): 578, 网络出版: 2016-05-11
具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20163705.0578 |
| 中图分类号: | TN3;TN4;TN5 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | “863”国家高技术研究发展计划（2014AA032606）、 国家自然科学基金（61376090）资助 |
| 收稿日期: | 2016-01-18 |
| 修改稿日期: | 2016-03-03 |
| 网络出版日期: | 2016-05-11 |
| 通讯作者: | 赵勇兵 (zhaoyongbing@semi.ac.cn) |
| 备注: | -- |
赵勇兵, 张韵, 程哲, 黄宇亮, 张连, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管[J]. 发光学报, 2016, 37(5): 578. ZHAO Yong-bing, ZHANG Yun, CHENG Zhe, HUANG Yu-liang, ZHANG Lian, LIU Zhi-qiang, YI Xiao-yan, WANG Guo-hong, LI Jin-min. Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(5): 578.
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