发光学报, 2016, 37 (5): 578, 网络出版: 2016-05-11
具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio
图 & 表
赵勇兵, 张韵, 程哲, 黄宇亮, 张连, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管[J]. 发光学报, 2016, 37(5): 578. ZHAO Yong-bing, ZHANG Yun, CHENG Zhe, HUANG Yu-liang, ZHANG Lian, LIU Zhi-qiang, YI Xiao-yan, WANG Guo-hong, LI Jin-min. Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(5): 578.