具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2016, 37 (5): 578, 网络出版: 2016-05-11

具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管

Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio

赵勇兵 ^1,2,3,*张韵 ^1,2,3,4程哲 ^1,2,3黄宇亮 ^1,2,3,4张连 ^1,2,3刘志强 ^1,2,3伊晓燕 ^1,2,3王国宏 ^1,2,3李晋闽 ^1,2,3

作者单位

¹ 中国科学院半导体研究所半导体照明研发中心, 北京 100083

² 半导体照明联合创新国家重点实验室, 北京 100083

³ 北京市第三代半导体材料及应用技术工程中心, 北京 100083

⁴ 中国科学院大学, 北京 100049

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赵勇兵, 张韵, 程哲, 黄宇亮, 张连, 刘志强, 伊晓燕, 王国宏, 李晋闽. 具有高开启/关断电流比的Al2O3/AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管[J]. 发光学报, 2016, 37(5): 578. ZHAO Yong-bing, ZHANG Yun, CHENG Zhe, HUANG Yu-liang, ZHANG Lian, LIU Zhi-qiang, YI Xiao-yan, WANG Guo-hong, LI Jin-min. Al2O3/AlGaN/GaN MOS-HEMT with High On/Off Drain Current Ratio[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(5): 578.

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