发光学报, 2016, 37 (1): 50, 网络出版: 2016-03-22
溶胶凝胶法制备以Al2O3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管
Solution Processed HfInZnO Thin Film Transistors with HfSiOx Dielectrics Modified by Al2O3 Films
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20163701.0050 |
| 中图分类号: | TN321.5 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家高技术研究发展计划(863)(2015AA033406)、 广东省省级科技计划(2015B090915001)、 上海科学技术委员会项目(13520500200)资助 |
| 收稿日期: | 2015-09-02 |
| 修改稿日期: | 2015-11-25 |
| 网络出版日期: | 2016-03-22 |
| 通讯作者: | 高娅娜 (gaoyana@shu.edu.cn) |
| 备注: | -- |
高娅娜, 许云龙, 张建华, 李喜峰. 溶胶凝胶法制备以Al2O3为界面修饰层的铪铟锌氧薄膜晶体管[J]. 发光学报, 2016, 37(1): 50. GAO Ya-na, XU Yun-long, ZHANG Jian-hua, LI Xi-feng. Solution Processed HfInZnO Thin Film Transistors with HfSiOx Dielectrics Modified by Al2O3 Films[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(1): 50.
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