结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征 | 光散射学报 -- 中国光学期刊网

光散射学报, 2016, 28 (3): 214, 网络出版: 2016-11-30

结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征

Characterization of Optical Properties of Wide Band Gap Semiconductor Thin Film with the Combination of Ellipsometry and Infrared Spectrum

谢灯 ^1,2,*丘志仁 ²万玲玉 ³TIN Chin-che ^4,5梅霆 ⁶冯哲川 ³

作者单位

¹ 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州 510631

² 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理学院,广州 510275

³ 广西大学物理科学与工程技术学院,广西相对论天体物理重点实验室,光电子材料与探测技术实验室,南宁 530004

⁴ 马来西亚大学机械工程系，马来西亚吉隆坡 50603

⁵ 奥本大学物理学院，美国奥本36849

⁶ 西北工业大学理学院,教育部空间应用物理与化学重点实验室,陕西省光信息技术重点实验室,西安710072

图 & 表

谢灯, 丘志仁, 万玲玉, TIN Chin-che, 梅霆, 冯哲川. 结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征[J]. 光散射学报, 2016, 28(3): 214. XIE Deng, QIU Zhi-ren, WAN Ling-yu, TIN Chin-che, MEI Ting, FENG Zhe-chuan. Characterization of Optical Properties of Wide Band Gap Semiconductor Thin Film with the Combination of Ellipsometry and Infrared Spectrum[J]. The Journal of Light Scattering, 2016, 28(3): 214.

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