中国激光, 2019, 46 (2): 0203002, 网络出版: 2019-05-09 复制并引用该论文  本文已被引 2 次  被引通知

图 & 表

图 1. 生长过程中的RHEED衍射图像。(a)进行脱氧处理的GaAs衬底;(b)生长的GaAs缓冲层;(c) In组分加入生长的InxGa1-xAs薄膜;(d)生长的InxGa1-xAs薄膜

Fig. 1. RHEED diffraction pattern during growth. (a) Deoxidation processing of GaAs substrate; (b) growth of GaAs buffer layer; (c) growth of InxGa1-xAs film by adding In component; (d) growth of InxGa1-xAs film

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图 2. InxGa1-xAs薄膜的光学照片及对应的XRD图。(a)光学照片;(b) XRD图像

Fig. 2. Optical photograph of InxGa1-xAs film and corresponding XRD image. (a) Optical photograph; (b) XRD image

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图 3. InxGa1-xAs薄膜室温下的PL光谱,插图为室温下发光对应的能带图

Fig. 3. PL spectra of InxGa1-xAs film at room temperature, inset shows energy band diagram corresponding to luminescence at room temperature

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图 4. InxGa1-xAs薄膜及GaAs衬底在室温下的Raman光谱

Fig. 4. Raman spectra of InxGa1-xAs film and GaAs substrate at room temperature

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亢玉彬, 唐吉龙, 张健, 方铉, 房丹, 王登魁, 林逢源, 魏志鹏. 高应变In_xGa_1-xAs薄膜的结晶质量及光学特性[J]. 中国激光, 2019, 46(2): 0203002. Yubin Kang, Jilong Tang, Jian Zhang, Xuan Fang, Dan Fang, Dengkui Wang, Fengyuan Lin, Zhipeng Wei. Crystallization Quality and Optical Properties of High Strain In_xGa_1-xAs Film[J]. Chinese Journal of Lasers, 2019, 46(2): 0203002.