以铝柱撑蒙脱石为模板、壳聚糖为碳源，采用水热法制备铝柱撑蒙脱石/碳纳米复合材料，然后热压得到铝柱撑蒙脱石基陶瓷/碳复合材料。通过X射线衍射仪、扫描电子显微镜、万能材料试验机和矢量网络分析仪等研究了碳含量对复合材料的致密度、力学、导电性能和吸波性能的影响。结果表明：铝柱撑蒙脱石/碳经热压烧结转变为莫来石/碳陶瓷材料，碳在热压中进一步石墨化，碳的引入提高了复合材料的导电性和韧性，同时在材料内部形成了大量界面极化，增强了复合材料的介电损耗，使陶瓷材料由透波体转化为电磁波吸收材料。随着铝柱撑蒙脱石中碳质量分数的进一步增加，复合材料内部微裂纹增多，弯曲强度逐渐降低。在1 300 ℃、20 MPa、保温120 min的条件下进行热压烧结，蒙脱石与壳聚糖质量比为32:1时，复合材料的断裂韧性最高，比不添加碳的陶瓷提高了11.41%；当蒙脱石与壳聚糖质量比为4:1时，复合材料的电导率最高，达到17.53 S·m-1。吸波性能测试模拟计算结果表明：所得材料在涂层厚度为1.4 mm时，最小反射损耗RL值达到-44.93 dB；当涂层厚度为1.6 mm时，最小RL值为-36.28 dB，有效吸收带宽为5.0 GHz。

以六水氯化铝和氢氧化钠为原料制备羟基铝聚阳离子、羟基铝聚阳离子为氧化铝源制备铝柱撑蒙脱石、氧化铝和氢氧化铝为氧化铝源，分别与蒙脱石球磨，然后分别进行热压制备蒙脱石基陶瓷。研究了不同氧化铝源和热压温度对蒙脱石基陶瓷莫来石化和力学性能的影响。结果表明：当热压温度为1 100 ℃时，3种氧化铝源的加入改善了蒙脱石基陶瓷的力学性能；在1 300 ℃热压温度下，铝柱撑蒙脱石基陶瓷的弯曲强度和断裂韧性最优，分别为118.07 MPa和2.30 MPa·m1/2，相对于原蒙脱石基陶瓷分别提高了41.0%和74.2%。

研究了纳米相氟氧化物玻璃陶瓷中Er3+Yb3+离子对的量子剪裁发光造成的强的光谱调制现象。 测量了Er3+Yb3+双掺纳米相氟氧化物玻璃陶瓷的X射线衍射谱、 表面形貌、 激发光谱、 吸收光谱、 和发光光谱； 而且也与Tb3+Yb3+双掺纳米相氟氧化物玻璃陶瓷的相对应的光谱参数进行了比较。 发现378 nm光激发样品(A) Er(1%)Yb(8.0%)∶FOV和样品(B) Er(0.5%)Yb(3.0%)∶FOV所导致的652.0 nm红色发光强度为522 nm光激发时的680.85倍和303.80倍； 我们还发现378 nm光激发所导致的样品(A) Er(1%)Yb(8.0%)∶FOV和样品(B) Er(0.5%)Yb(3.0%)∶FOV的 652.0 nm红色发光强度为样品(C) Er(0.5%)∶FOV 的491.05和184.12倍。 我们还发现在378 nm光激发时的样品(A) Er(1%)Yb(8.0%)∶FOV和样品(B) Er(0.5%)Yb(3.0%)∶FOV的{978.0和1 012.0 nm}红外发光强度依次分别为样品(C) Er(0.5%)∶FOV 的{58.00和293.62}倍和{25.11和 67.50}倍。 更进一步, 对于652.0 nm波长发光的激发谱, 发现(A) Er(1%)Yb(8.0%)∶FOV和(B) Er(0.5%)Yb(3.0%)∶FOV的378.5 nm激发谱峰强度是(C) Er(0.5%)∶FOV的大约606.02和199.83倍。 同时, 也发现样品(A) Er(1%)Yb(8.0%)∶FOV和样品(B) Er(0.5%)Yb(3.0%)∶FOV的一级量子剪裁红外1 012或978 nm发光强度为样品(D) Tb(0.7%)Yb(5.0%)∶FOV的二级量子剪裁红外976 nm发光强度的101.38和29.19倍。 发现的该量子剪裁是目前所报道的最强的量子剪裁。 因此, 相信所发现的氟氧化物纳米玻璃陶瓷中Er3+Yb3+离子对的一级量子剪裁发光是强的可以作为量子剪裁层应用到提高晶硅太阳能电池的发电效率。 研究结果也能加速对目前国际热点的下一代环保的光谱调制太阳能电池的探索。

利用2017年冬季航次的现场光谱测量数据以及同步 水文泥沙参数，讨论了ASD地物光谱仪和Hypersas海面光谱仪两种光学 测量仪器在长江口局地高浊度水域所测光谱数据的差异情况。结果表 明，Hypersas光谱仪所测的光谱值在整体上 比ASD光谱仪的高；当积分时间 为34 ms时，两者的差异最小，其在412 nm、443 nm、 490 nm、510 nm、 531 nm、555 nm、 670 nm和750 nm各个典型波段的平均相对差异值 分别为22.70%、18.73%、15.01%、 14.07%、13.05%、 11.93%、9.58%和9.85%。 通过分析和对比两组数据与同步实测的悬沙浓度数据的相关性以及 拟合精度可以发现，在局地模式下，ASD光谱仪所测的悬沙浓度 建模精度(R2=0.78)比Hypersas光谱仪的(R2=0.67)高。

考察了通过自主研发的高温热裂解辅助硒化装置所产生的高活性硒对CIGS薄膜结构和器件性能的影响。通过调节高温裂解系统的温度可以有效调节不同的硒活性。研究发现,第一台阶HC-Se气氛可以提高CIGS薄膜表面的Ga含量,使得CIGS薄膜内的Ga分布更加平缓,进而提高CIGS薄膜表面禁带宽度。而且HC-Se气氛可以消除CIGS“两相分离”现象。两种因素的共同作用使得CIGS薄膜太阳电池的开路电压提高了34.6%。电池转换效率从6.02%提升至8.76%,增长了45.5%。

研究了金属预制层制备过程中溅射气压对Cu(In1-xGax)Se2(CIGS)薄膜及电池器件性能的影响。通过调节溅射气压改变预制层的结晶状态及疏松度与粗糙度, 在合适的预制层结构下, 活性硒化热处理过程中, 可使Ga有效地掺入到薄膜中形成优质的CIGS固溶体。高溅射气压会使预制层过于致密, 呈现非晶态趋势。经活性硒化热处理后, CIGS薄膜容易产生CIS与CGS“两相分离”现象, 从而导致CIGS薄膜太阳电池的开路电压和填充因子降低, 电池转换效率由10.03%降低到5.02%。

利用Nd∶YAG/Cr∶YAG/YAG键合晶体，建立了具有高平均输出功率的LD侧面泵浦被动调Q激光器系统.当Cr∶YAG的初始透过率为85%、最大泵浦光功率为187.5 W时，1 064 nm激光的平均输出功率为83.68 W.通过KTP晶体进行倍频，在最大泵浦光功率下，产生了27.2 W 532 nm绿光激光脉冲，同时脉冲宽度和重复频率分别为210 ns和21.2 kHz; 绿光单脉冲能量和峰值功率分别为1.28 mJ和6.1 kW; 泵浦光(808 nm)到倍频光(532 nm)的光-光效率为14.5%.

板蓝根颗粒的质量直接影响其疗效, 选择一种有效的板蓝根颗粒质量检测方法至关重要。 传统的检测方法需要对板蓝根样品进行化学预处理, 是一种对样品有损的检测方法。 为解决这一问题, 采用了一种安装液晶滤波器件的荧光光谱成像实验装置对板蓝根样品的荧光光谱特性进行测试, 以中国食品药品检定研究院提供的板蓝根标准物质的光谱曲线作为对照品, 通过获得不同原材料、不同厂家和不同批次的板蓝根颗粒的荧光特征光谱曲线, 并对其进行归一化处理后, 与对照品的荧光光谱特征曲线进行对比分析及聚类分析, 从整体上探讨了荧光光谱特征曲线与板蓝根颗粒质量的关系。 实验结果显示, 不同厂家生产的颗粒之间质量存在较大差异, 主要体现在荧光的强弱和波峰位置的变化上, 通过与标准物质的光谱曲线做进一步对比, 可初步判断板蓝根颗粒质量的优劣。 这表明了采用荧光光谱成像的方法对板蓝根质量进行检测是一种简便、 快捷、 无损的检测手段。

充分利用全固态激光器结构紧凑的优点，设计了一套紧凑型直腔式457 nm蓝光激光器系统。在设计过程中，针对Nd:YVO4激光晶体的自身性质及其产生914 nm激光的相关光学特性，着重对该激光系统的激光阈值进行分析，对温控系统及谐振腔参数进行优化。最终实现了Nd:YVO4激光晶体914 nm波长激光运转，并在此基础上利用BIBO晶体进行腔内倍频获得457 nm激光输出。入射抽运光功率为24.2 W时，最高输出功率为1.56 W，光光转换效率为6.45%，功率稳定度低于2.98%，M2因子为1.3。

研究了110~180 ℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明：对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说, 150 ℃, 2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中, 退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大, 这是因为快速热退火对消除部分CIGS薄膜中的CuSex有积极作用, 从薄膜的电阻率有少量提高, 器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证; 而对于高Ga电池来说, 填充因子FF的改善最大, 这是因为高Ga样品的缺陷较多, 退火会消除薄膜内部的部分缺陷, 从而薄膜的迁移率及Jsc都有所提高, 使得FF有较大的增加.