作者单位
摘要
工业和信息化部电子第五研究所, 广州 510610
低频电噪声是表征电子器件质量和可靠性的敏感参数, 通过测试低频噪声, 可以快速、无损地实现光耦器件的可靠性评估。通过开展可靠性老化对光电耦合器低频噪声特性影响的试验研究, 提出基于低频段宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法, 并将可靠性筛选结果与点频噪声筛选方法结果进行对比分析。结果表明, 与点频噪声参数等现有方法相比, 宽频带噪声参数可以更灵敏和准确地表征器件可靠性, 同时计算简便, 基于宽频带噪声参数的光电耦合器可靠性筛选方法可以实现更为准确合理的可靠性分类筛选。
光电耦合器 低频噪声检测 可靠性筛选 宽带噪声 optoelectronic coupled device low-frequency noise detection reliability screening wideband noise 
半导体光电
2019, 40(5): 615
作者单位
摘要
1 工业和信息化部电子第五研究所,广东广州 510610
2 浙江大立科技股份有限公司,浙江杭州 310053
数据采集系统的校准验证是准确测试评价红外焦平面阵列探测器性能指标的技术基础。在分析红外焦平面阵列探测器数据采集系统工作原理特点的基础上,提出了利用通用设备和红外焦平面阵列探测器测试系统对数据采集系统进行校准验证的方法。实际测试结果表明该方法有效可行,实现了数据采集系统的采集误差限、线性度、系统噪声、采集速率等关键指标的校准验证。
红外探测器 焦平面阵列 数据采集系统 校准验证 infrared detector focal plane array data acquisition system calibration 
红外技术
2018, 40(10): 961
作者单位
摘要
1 工业和信息化部电子第五研究所, 广州 510610
2 华南理工大学, 广州 510641
在宽的输入偏置电流范围条件下, 开展了光电耦合器件低频噪声特性测试与功率老化和高温老化的可靠性试验研究。结果表明, 光电耦合器件的低频噪声主要是内部光敏晶体管1/f噪声, 并随输入偏置电流的增大呈现先增大后减小的规律, 这与器件的工作状态密切相关。功率老化试验后, 高输入偏置电流条件下的低频噪声有所增大, 这归因于电应力诱发的有源区缺陷。高温老化试验后, 整个器件线性工作区条件下的低频噪声都明显增大, 说明温度应力能够更多地激发器件内部的缺陷。相对于1/f噪声幅度参量, 低频噪声宽带噪声电压参量可以更灵敏准确地进行器件可靠性表征。
光电耦合器件 低频噪声检测 功率老化 高温老化 可靠性 optoelectronic coupled devices low-frequency noise detection power aging high temperature aging reliability 
半导体光电
2018, 39(2): 192
陈睿 1,2,*余永涛 1,2董刚 1,2上官士鹏 1[ ... ]朱翔 1
作者单位
摘要
1 中国科学院 国家空间科学中心, 北京100190
2 中国科学院大学, 北京100049
基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90 nm和0.13 μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18 μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。
不同工艺尺寸 单粒子闩锁效应 SEL三维仿真模型 防护结构 重离子辐照 different process dimensions single event latch-up effect 3D simulation model of SEL mitigation technique heavy-ion radiation 
强激光与粒子束
2014, 26(7): 074005

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