1 工业和信息化部电子第五研究所, 广州 510610
2 华南理工大学, 广州 510641
在宽的输入偏置电流范围条件下, 开展了光电耦合器件低频噪声特性测试与功率老化和高温老化的可靠性试验研究。结果表明, 光电耦合器件的低频噪声主要是内部光敏晶体管1/f噪声, 并随输入偏置电流的增大呈现先增大后减小的规律, 这与器件的工作状态密切相关。功率老化试验后, 高输入偏置电流条件下的低频噪声有所增大, 这归因于电应力诱发的有源区缺陷。高温老化试验后, 整个器件线性工作区条件下的低频噪声都明显增大, 说明温度应力能够更多地激发器件内部的缺陷。相对于1/f噪声幅度参量, 低频噪声宽带噪声电压参量可以更灵敏准确地进行器件可靠性表征。
光电耦合器件 低频噪声检测 功率老化 高温老化 可靠性 optoelectronic coupled devices low-frequency noise detection power aging high temperature aging reliability
西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaAlAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区y=1,在大电流区y≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaAlAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaAlAs IR LEDs的潜在缺陷.
红外发光二极管 1/f噪声 功率老化 陷阱
