作者单位
摘要
浙江工业大学 理学院, 浙江 杭州 310023
随着国内“平安城市”项目的不断完善, 完备的补光系统对于智能交通也就显得越来越重要。首先, 阐述了在智能交通中补光系统的作用、分类及现有补光系统的优缺点; 其后针对在补光中存在的眩目和过曝这两个问题, 设计了一款红外和白光混合排列阵列式发光二极管防眩目补光系统, 完成了其硬件部分和基于现场可编程门阵列(Field Programmable Gate Array, FPGA)自适应算法的软件部分, 并对该系统进行了实际测试。测试结果表明: 补光效果优于白光常亮灯, 且眩目感显著降低; 车牌图像二值化分布均匀, 该补光系统可有效解决车牌过曝问题。
眩目 过曝 补光系统 红外发光二极管 智能交通 glare overexposed supplemental lighting system infrared light emitting diode intelligent transportation 
红外与激光工程
2018, 47(9): 0918006
作者单位
摘要
天津理工大学 材料物理研究所 显示材料与光电器件省部共建教育部重点实验室, 天津300384
以PEDOT∶PSS作为空穴注入层, 聚合物PVK作为空穴传输层, 制备了结构为ITO/PEDOT∶PSS/PVK/8-羟基喹啉钕(Ndq3)/Al的近红外OLED, 研究了PVK与PEDOT∶PSS功能层对器件I-V特性和EL光谱的影响。结果显示, 在EL光谱中的905, 1 064, 1 340 nm处均观察到了荧光发射, 分别对应于Nd3+的4F3/2→4I9/2、 4F3/2→4I11/2和4F3/2→4I13/2能级跃迁。与参考器件对比分析认为, PEDOT∶PSS高的导电性降低了器件的串联电阻, 增大了器件的工作电流; PVK与PEDOT∶PSS共同降低了空穴的注入势垒, 实现了Ndq3发光层区域的载流子的注入平衡并改善了器件的发射强度。此外, PVK有效降低了ITO电极表面粗糙度, 也是器件性能提高的原因之一。
红外发光二极管 空穴注入层 空穴传输层 8-羟基喹啉钕 near-infrared light emitting diode hole injection layer hole transport layer neodymium tris-(8-hydroxyquinoline) 
发光学报
2013, 34(7): 888
作者单位
摘要
1 上海电力学院 能源与环境工程学院,上海 200090
2 上海交通大学 机械与动力工程学院,上海 200240
3 上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海 200072
为了对红外发光二极管(LED)恒定及步进应力加速寿命试验的数据进行统计分析,应用Weibull分布函数描述了其寿命分布,利用极大似然法(MLE)及其迭代流程图估计出形状参数和尺度参数,通过最小二乘法确定了红外LED加速寿命方程,对红外LED寿命是否符合威布尔分布进行了Kolmogorov-Smirnov 检验,并利用自行开发的寿命预测软件计算出平均寿命和中位寿命。数值结果表明,红外LED的寿命服从Weibull分布,加速寿命方程符合逆幂定律,所估计出的红外LED的寿命对生产厂商和用户有很强的指导意义。
红外发光二极管 加速寿命试验 infrared light emitting diode accelerated life test Weibull Weibull MLE MLE 
半导体光电
2011, 32(1): 47
作者单位
摘要
西安电子科技大学,微电子研究所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西,西安,710071
在可靠性筛选中检测具有潜在损伤的器件一直是个难题.对GaAlAs红外发光二极管(IRLED)功率老化前后低频噪声的测量发现,1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比(小电流区y=1,在大电流区y≈2),且老化后1/f噪声幅值比老化前增大2个数量级.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAs IR LED的1/f噪声模型,分析结果表明GaAlAs IR LED的1/f噪声在小电流时反映体陷阱特征,大电流时反映激活区陷阱特征,1/f噪声的增加归因于功率老化诱生的界面陷阱和表面陷阱,1/f噪声可以用来检测GaAlAs IR LEDs的潜在缺陷.
红外发光二极管 1/f噪声 功率老化 陷阱 
红外与毫米波学报
2006, 25(1): 33
作者单位
摘要
1 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
2 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实?槭?西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比,在小电流区,γ≈1,在大电流区γ≈2.基于载流子数涨落和迁移率涨落机制建立了一个GaAlAs IRLED 1/f噪声模型,该模型的分析表明,低电流区GaAlAs IRLED的1/f噪声源于体陷阱对载流子俘获和发射导致的扩散电流涨落,高电流区的1/f噪声源于结空间电荷区附近氧化层陷阱对该处表面势的调制而引起载流子表面复合速率的涨落.该研究结果为1/f噪声表征GaAlAs IRLED的可靠性提供了实验基础与理论依据.
1/f噪声 红外发光二极管 涨落 氧化层陷阱 1/f noise Infrared ray LED Fluctuations Oxide traps 
光子学报
2005, 34(8): 1149
作者单位
摘要
上海交通大学,仪器工程系,上海,200030
为提高静电陀螺稳定度和精度,设计了静电陀螺光源(红外发光二极管)交流驱动电路.介绍了恒流驱动电路的结构,并结合光电传感器读取静电陀螺转轴位置的实验要求,叙述了交流供电电路的设计,给出了电路仿真结果以及实际测试结果.测试结果表明,该电路在常温环境下,当采样电阻Rs=270 Ω时,对负载变化的恒流精度达到O.8%.
静电陀螺 红外发光二极管 交流 驱动方式 PSPICE 
光学 精密工程
2003, 11(3): 262

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