浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室, 浙江 杭州 310027
硅量子点(Si QDs)的尺寸一般小于10 nm，由于量子限域效应和表面效应而表现出与体硅材料不同的电子和光学性质，因此硅量子点受到了研究者的关注。近年来，硅量子点因其新颖的光电性能已经被应用到光电器件领域，并取得了一系列的研究进展。概述了硅量子点的电子和光学性质，详细介绍了国内外有关硅量子点在发光器件、太阳电池和光探测器3个方面的研究进展，并针对不同类型的硅量子点光电器件的性能进行了分析，认为经过坚持不懈的研究，硅量子点能够在未来光电器件革新中扮演重要角色。
光电子学 硅量子点 光电器件 发光二极管 太阳电池 光探测器 激光与光电子学进展
2017, 54(3): 030006
