晶体质量是决定铜锌锡硫硒(Cu2ZnSn(S,Se)4, CZTSSe)吸收层薄膜吸收效率的关键, 旋涂是溶液法制备CZTSSe吸收层的第一步, 因此旋涂方式的选择至关重要。为了探究不同旋涂方式对CZTSSe吸收层薄膜质量和相应器件性能的影响, 分别采用三组不同的旋涂方式制备铜锌锡硫(Cu2ZnSnS4, CZTS)前驱体薄膜及CZTSSe吸收层薄膜, 并利用X射线衍射仪(XRD)、能谱仪(EDS)、显微拉曼光谱仪(Raman)、场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)分析了不同旋涂方式对所制备的CZTSSe吸收层薄膜晶体结构、元素成分、相纯度、表面形貌的影响。同时, 采用电流密度-电压(J-V)测试和外量子效率(EQE)测试对CZTSSe吸收层薄膜太阳电池的光电特性进行了表征。结果表明: 旋涂7周期, 且第一周期烘烤之前旋涂2次的效果最好, 所制备的CZTS前驱体薄膜均匀, 无裂纹, CZTSSe吸收层薄膜结晶度更高, 薄膜表面更平整致密, 晶粒大小更均匀, 实现了9.63%的光电转换效率。通过对采用不同旋涂方式制备的器件的性能参数进行统计分析, 得出新的旋涂方式可以提高CZTSSe薄膜太阳电池的可重复性, 为将来可能的大规模商业化应用做铺垫。

为解决硫化过程中Sn元素损失的问题以及减少MoS2的厚度，采用磁控溅射技术，在基于钼的钠钙玻璃衬底上采用双周期溅射的方法，以ZnO/SnO2/Cu的顺序制备了含氧的Cu-Zn-Sn预制层。结果表明：SnO2以及ZnO的使用很好的抑制了Sn元素的损失以及MoS2层的形成，而且在590 ℃的硫化温度下能制备出表面平整、晶粒致密、晶体结构较好的单相Cu2ZnSnS4 (CZTS)吸收层薄膜。最后，制备出结构完整的CZTS薄膜太阳电池，在590 ℃硫化制备的CZTS薄膜太阳电池效率最高，其开路电压为590 mV，短路电流密度为22.09 mA/cm2，填充因子为39.28%，光电转换效率达到5.12%，为今后制备高效CZTS薄膜太阳电池起到了推动作用。

随着生活质量的提升, 大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器件越来越受到人们的青睐。然而, 高规格产品同时也会伴随更多的显示问题, 垂直串扰就是其中一种。垂直串扰产生原因主要是由于数据线与像素电极之间的耦合电容Cpd以及薄膜晶体管(TFT)关闭时的漏电流Ioff使像素电压发生偏移。高分辨率8 K产品由于其存储电容大幅减小、布线密集程度增大, 导致其垂直串扰现象严重。本文通过软件模拟了Cpd的影响因子, 再结合不同像素电极2ITO交叠面积样品的反置现象确定Cpd的影响程度, 同时通过改变各项工艺参数确定最佳存储电容及漏电流条件, 最后在最佳存储电容及漏电流条件下探讨与之匹配的2ITO交叠面积。在所有最优工艺条件下, 不良比率由最初的55.6%下降至42%, 画质大幅改善。

TFT基板四道掩膜版工艺可提升产能, 但其带来的产品品质困扰着各工厂, 白点不良即为四道掩膜版工艺产生。本文通过直流实验探究了白点产生的原因; 采用光照实验和高温实验, 研究了白点产生的机理, 同时利用工艺调整来改善白点不良。结果表明, 有源层膜质存在异常, 其导电性不同导致了反冲电压(ΔVp)的差异, 最佳公共电压的不同形成白点不良。栅极和源极耦合电容越小, 即硅边宽度越小, 白点越少, 直至消失。子像素存储电容越大, 钝化层厚度(PVX)由600 nm减小到400 nm, 白点不良程度可减轻1个等级。通过工艺调整, 将硅边宽度降低到1.2 μm, 可解决四道掩膜版工艺导致的白点问题。该研究对于产品品质和收益的提升以及后续产品开发提供了有效的解决方法及参考。

采用磁控溅射SnSe-ZnSe-Cu硒化物靶和Sn-Zn-Cu金属单质靶的方法制备两种Cu2ZnSnSe4(CZTSe)预制层，并将两种预制层采用相同的硒化工艺制备出CZTSe薄膜吸收层。分别采用XRD、Raman、SEM、EDS等分析了薄膜的晶体结构、相的纯度、表面及截面形貌和元素组分，结果发现采用硒化物靶制备的CZTSe吸收层薄膜更为平整致密且无明显孔洞。同时采用Hall测试和J-V测试对太阳电池薄膜的电学性质进行了表征，结果表明硒化物靶制备的CZTSe太阳电池的电流密度以及光电转化效率要高于金属单质靶，金属单质靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为356 mV，短路电流密度为20.61 mA/cm2，光电转换效率为2.18%，而硒化物靶制备的CZTSe薄膜电池的开路电压为354 mV，短路电流密度为28.41 mA/cm2，光电转换效率为3.33%。

在触控产品的制作过程中, 气泡线不良严重影响着产品的外观品质。本文从气泡线的产生机理入手进行研究, 发现该不良是由贴附偏光片时传感器保护层有机膜段差处与偏光片之间残留气泡导致。本文从设计面、工艺面对气泡线的影响因子进行了研究, 实验发现有机膜边界设计位置、有机膜厚度、偏光片贴附相关工艺以及偏光片中PSA厚度对气泡线不良影响显著。其中有机膜边界设计位置远离显示区, 降低有机膜与偏光片交叠宽度, 可以使脱泡时气泡更容易排出而改善气泡线不良; 降低有机膜厚度, 可以减少偏光片贴附时有机膜断差位置气泡积累而改善气泡线不良; 偏光片贴附相关工艺中增加贴附压力、降低贴附速度、增加脱泡时间, 可以减少气泡积累以及增加排出而改善气泡线不良; 增加偏光片中PSA胶层的厚度, 可以在偏光片贴附时获得更大的弹性及压入量, 减少气泡的积累而改善气泡线不良。研究结果表明, 以上改善方法均能有效降低气泡线的发生率, 实际生产时可采用组合对策, 避免气泡线不良的发生。