以激光粉末床熔融（L-PBF）增材制造的316L不锈钢作为研究对象，重点研究了0°和60°两个不同成型方向对打印件显微组织和力学性能的影响，并利用原位电子背散射衍射（EBSD）技术研究了L-PBF 316L不锈钢在拉伸变形过程中组织和晶粒取向的演变过程。研究结果表明：L-PBF增材制造316L不锈钢的显微组织存在孔洞缺陷，在60°成型方向上还存在着鱼鳞状微熔池。成型方向为60°时制件的抗拉强度更高，为（645.61±15.50）MPa，0°成型方向上制件的伸长率更好，为（13.75±0.1）%。在原位拉伸过程中，随着变形量的增加，在0°成型方向上制件表现出更为显著的变化。小角度晶界的占比（体积分数）由38.1%增加到71.6%，α-Fe-BCC占比（体积分数）由0.17%增加到2.21%，平均晶粒尺寸由4.3 μm减小到1.4 μm，且晶粒内部在拉伸过程中出现了滑移带。在拉伸过程中，当成型方向为0°时，制件晶粒取向由初始的<101>∥Z1逐渐转变为<001>∥X1和<111>∥X1，而当成型方向为60°时，制件初始的<111>∥Z1晶粒取向逐渐转变为<111>∥X1。

TFT-LCD面板内的ITO连接过孔目前只有一些定性的设计规则, 缺乏定量计算和设计过孔的方法。本文研究了此类过孔电阻的定量计算方法, 同时探索了过孔电阻与击穿电流的关系, 为合理设计过孔、防止过孔烧毁提供了指导依据。首先, 通过分析过孔的结构, 抽象出等效电阻电路图, 得到多种不同结构的过孔电阻分解公式。过孔电阻主要由深孔接触电阻、浅孔接触电阻和深浅孔之间连接的ITO电阻组成。然后, 通过设计不同尺寸的金属与ITO的接触过孔, 使用开尔文四线检测法测量得到深孔接触电阻和浅孔接触电阻与孔尺寸之间的关系式。同时, 深浅孔之间连接的ITO电阻可通过ITO方块电阻与深浅孔之间的ITO尺寸计算得到。由此, 我们仅依据过孔的尺寸信息及ITO方阻数据即可计算得到各种结构的过孔电阻阻值。通过对大量过孔电阻的实测值与计算值进行相关性分析, 线性相关系数达到0.96, 证明了该计算方法的可靠性。最后, 通过测量大量过孔的电阻阻值及其击穿电流值, 发现过孔电阻阻值与击穿电流之间存在显著的幂函数关系, 幂指数在-1.3附近, 相关系数达到0.98。自此, 建立起了一整套可定量计算和设计过孔电阻和击穿电流的方法。

随着生活质量的提升, 大尺寸、高刷新频率、高分辨率的显示器件越来越受到人们的青睐。然而, 高规格产品同时也会伴随更多的显示问题, 垂直串扰就是其中一种。垂直串扰产生原因主要是由于数据线与像素电极之间的耦合电容Cpd以及薄膜晶体管(TFT)关闭时的漏电流Ioff使像素电压发生偏移。高分辨率8 K产品由于其存储电容大幅减小、布线密集程度增大, 导致其垂直串扰现象严重。本文通过软件模拟了Cpd的影响因子, 再结合不同像素电极2ITO交叠面积样品的反置现象确定Cpd的影响程度, 同时通过改变各项工艺参数确定最佳存储电容及漏电流条件, 最后在最佳存储电容及漏电流条件下探讨与之匹配的2ITO交叠面积。在所有最优工艺条件下, 不良比率由最初的55.6%下降至42%, 画质大幅改善。

TFT基板四道掩膜版工艺可提升产能, 但其带来的产品品质困扰着各工厂, 白点不良即为四道掩膜版工艺产生。本文通过直流实验探究了白点产生的原因; 采用光照实验和高温实验, 研究了白点产生的机理, 同时利用工艺调整来改善白点不良。结果表明, 有源层膜质存在异常, 其导电性不同导致了反冲电压(ΔVp)的差异, 最佳公共电压的不同形成白点不良。栅极和源极耦合电容越小, 即硅边宽度越小, 白点越少, 直至消失。子像素存储电容越大, 钝化层厚度(PVX)由600 nm减小到400 nm, 白点不良程度可减轻1个等级。通过工艺调整, 将硅边宽度降低到1.2 μm, 可解决四道掩膜版工艺导致的白点问题。该研究对于产品品质和收益的提升以及后续产品开发提供了有效的解决方法及参考。

基于800 nm飞秒激光脉冲, 设计并搭建了长周期光纤光栅制备系统, 该系统通过采用20倍率的显微物镜将飞秒激光脉冲诱导入标准单模光纤纤芯位置, 采用水平、垂直双CCD视频监控方式实现对飞秒激光脉冲刻蚀长周期光纤光栅的逐点监测, 对未载氢处理的标准单模光纤进行了不同周期、不同周期长度和不同占空比刻写实验.研究结果表明, 当选取激光脉冲能量为1.3 mW、光栅周期为500 μm、光栅占空比为0.6时, 该光栅在谐振波长1 300 nm处最大谐振峰强度为11.65 dB, 带外损耗低于2 dB, 且光栅谐振波长随光栅长度不发生明显漂移; 通过光栅占空比的调整, 可实现刻写光栅光谱特性的优化设计, 使得谐振峰由多峰转为单峰.

部署缺乏灵活性是光纤宽带接入的主要问题之一, 文章提出了一种RoF(光载无线)技术在宽带接入中的应用系统, 光纤传输选取较低的频率以降低对激光器的要求, 并通过SDM(副载波复用)和WDM(波分复用)的结合来提高光纤利用率, 根据应用场景选用定向微波天线进行多点覆盖。该方案实现了单光纤最多承载48个用户、单用户最高35 Mbit/s速率的宽带接入。实验结果表明, 该系统可有效实现用户宽带接入, 并且成本低、易实现。

A new type of dual-wavelength photonic crystal fiber laser was proposed and demonstrated, based on superimposed fiber gratings. Linear cavity structure was used to induce the laser, Er3+-doped Photonic Crystal Fiber was used as the gain medium, and two superimposed fiber gratings whose reflectivity were higher than 99% were used for wavelength selection. Based on gain equalization technologies, modal competition in the cavity was suppressed to realize dual-wavelength laser at room temperature. The 3 dB line-wide is less than 0.02 nm, 30 dB line-wide is less than 0.25 nm, and SMSR is 54.34 dB. The wavelength interval of dual-wavelength laser is 0.932 nm. The experimental result show that the wavelength and the laser energy of the dual-wavelength laser are stable.

基于增益均衡技术，提出了一种结构简单的双波长光纤激光器。激光器采用线形腔结构，以一对双波长掺铒光纤重叠光栅为波长选择器件，掺铒光纤为增益介质。实验结果表明，通过精细调节输出端双波长掺铒光纤重叠光栅两端的机械应力，能够调整出射端腔镜在λ₁ 和λ₂ 处的反射率(或透射率)，即调整激光器的损耗，使谐振腔内双波长处各自的损耗和增益相匹配，有效抑制腔内模式竞争，实现了波长间隔为0.932 nm 的稳定双波长激光同时激射。该激光器阈值功率为4 mW，输出激光的3 dB 带宽约为0.02 nm，30 dB 带宽小于0.2 nm，边模抑制比可达51.96 dB。激光器具有结构简单、室温下输出稳定、线宽窄、阈值低等优点。

设计了一种新型阵列光纤光栅的刻写系统，实现了8芯带状光纤上不同波长阵列光纤光栅的刻写。其基本原理如下：利用专门设计的带纤夹具夹持带纤，采用电控位移平台对带纤整体施加拉力来调节波长，逐根曝光，并采用扫描写入的方法进行汉明切趾。利用以上系统，实现了3 dB带宽为0.2 nm、波长间隔为0.5 nm、波长偏差小于±0.05 nm、反射率为80%~85%的阵列布拉格光纤光栅刻写。此工艺自动化程度高，光栅参数灵活可调。