作者单位
摘要
1 南京京东方显示技术有限公司,南京20033
2 山东大学 化学与化工学院,济南50100
针对A机种生产过程中发生的一种条纹Mura问题,通过不良品的解析和数据统计分析,发现Mura异常区的黑色矩阵层(BM)图案边缘有内切(Undercut)问题,是因为制造过程中显影机导轮与玻璃接触部分发生静电累积,静电干扰使BM光阻与玻璃之间的接触角变小,造成显影后背面曝光工艺中BM未固化层发生热融溢流(Melt Flow)现象,固化工艺后形成BM边缘内切。研究发现,通过优化背面曝光工艺参数和关闭曝光上灯可以有效改善条纹Mura的程度;且将显影机导轮“平行式”排列改造成“之字式”排列,可以进一步改善条纹Mura现象。改善后条纹Mura的发生率由0.8%降至0,改善效果显著。
条纹缺陷 内切 背面曝光 静电积累 “之字式”排列 stripe Mura undercut backside exposure electrostatic accumulation Zigzag arrangement 
光电子技术
2022, 42(1): 47
鲁麟 1,2郎艺 1,2许福军 3郎婧 3[ ... ]代广珍 1,2
作者单位
摘要
1 安徽工程大学 高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室, 安徽 芜湖 241000
2 安徽工程大学 电气工程学院, 安徽 芜湖 241000
3 北京大学物理学院 宽禁带半导体研究中心, 北京 100871
4 安徽工程大学 外国语学院, 安徽 芜湖 241000
针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题, 研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二极管(LED)器件性能的影响及载流子的输运行为。研究发现, 与多量子阱中常用的单Al组分势垒相比, 加入Al组分较高的双尖峰势垒可以有效地提高内量子效率和光输出功率。进一步研究表明, 电子在有源区因凸起的尖峰势垒而得到了有效的阻挡, 减少了电子的泄露, 而空穴获得更多的动能从而穿过较高的势垒进入有源区。因此, 采用非对称H形量子势垒的深紫外LED器件中载流子输运实现了较好的平衡, 量子阱中的载流子复合速率远高于普通的深紫外发光二极管。
深紫外发光二极管 量子势垒 AlGaN AlGaN deep ultraviolet light-emitting diodes quantum barrier 
发光学报
2020, 41(6): 714
李锋霞 1,*马本学 1,2何青海 1吕琛 1[ ... ]田昊 1
作者单位
摘要
1 石河子大学机械电气工程学院
2 石河子大学新疆兵团农业机械重点实验室,新疆 石河子 832003
提出利用高光谱对哈密瓜坚实度进行检测的方法,对比分析了不同波段范围、不同预处理法、不同光程校正法和不同定量校正算法对哈密瓜坚实度预测模型准确度的影响.实验结果表明,在500~820 nm波段光谱区域,采用偏最小二乘法对经过标准正则变换校正的一阶微分处理的光谱建模效果较优,其校正集相关系数为0.873,校正均方根误差为4.18N,预测集相关系数为0.646,预测均方根误差为6.40N.研究表明,应用高光谱对哈密瓜坚实度的无损检测研究具有可行性.
光谱学 高光谱成像技术 无损检测 偏最小二乘法 坚实度 哈密瓜 Spectroscopy Hyperspectral imaging technique Nondestructive detection Partial least square Firmness Hami melon 
光子学报
2013, 42(5): 592

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