运城学院 物理与电子工程系, 山西 运城 044000
采用热注入法制备空气稳定性良好的CsPbBrI2量子点，以375 nm的脉冲激光作为激发光源研究其光致发光性能.通过旋涂的方式制备相应薄膜，将其作为光敏层应用到光探测器，并对器件的光电子性能和稳定性进行详细研究.结果表明：CsPbBrI2量子点在635 nm附近有强烈的荧光效应，光谱发光峰较窄，半峰宽约为35 nm.CsPbBrI2量子点禁带宽度为1.90 eV，制备的探测器光检测带宽从紫外光260 nm到红光650 nm，光响应度为0.26 A/W，高开/关比高达104，上升/衰减时间为3.5 ms/3.5 ms.在25℃，湿度在25%~35%大气环境下存储60天，性能与初始值相比几乎没有变化.CsPbBrI2量子点具有优异的稳定性、可制备高性能的宽带光检测和易于制造等优点，具备一定的应用前景.
量子点 光探测器 热注入法 钙钛矿 光响应 Quantum dots Photodetector Perovskite CsPbBrI2 CsPbBrI2 Photoresponse
运城学院 物理与电子工程系 , 山西 运城 044000
使用AFORS-HET软件模拟研究HIT太阳电池能带结构, 讨论了发射区p型反转层的形成及影响因素, 及其对电池性能的影响。结果表明: 在n型单晶硅内, 与p型非晶硅异质结界面处, 形成p型反转层;p-Si∶H的掺杂浓度可调节费米能级位置, 进而影响反转层的形成。HIT电池类似于p-n同质结电池, p型反转层作为太阳电池发射层, 对太阳电池的性能起决定性作用。
模拟 氢化非晶硅 反转 AFORS-HET AFORS-HET simulation HIT HIT a-Si∶H inversion
