光子学报
2021, 50(12): 1223001
运城学院 物理与电子工程系, 山西 运城 044000
采用热注入法制备空气稳定性良好的CsPbBrI2量子点，以375 nm的脉冲激光作为激发光源研究其光致发光性能.通过旋涂的方式制备相应薄膜，将其作为光敏层应用到光探测器，并对器件的光电子性能和稳定性进行详细研究.结果表明：CsPbBrI2量子点在635 nm附近有强烈的荧光效应，光谱发光峰较窄，半峰宽约为35 nm.CsPbBrI2量子点禁带宽度为1.90 eV，制备的探测器光检测带宽从紫外光260 nm到红光650 nm，光响应度为0.26 A/W，高开/关比高达104，上升/衰减时间为3.5 ms/3.5 ms.在25℃，湿度在25%~35%大气环境下存储60天，性能与初始值相比几乎没有变化.CsPbBrI2量子点具有优异的稳定性、可制备高性能的宽带光检测和易于制造等优点，具备一定的应用前景.
量子点 光探测器 热注入法 钙钛矿 光响应 Quantum dots Photodetector Perovskite CsPbBrI2 CsPbBrI2 Photoresponse
运城学院 物理与电子工程系 , 山西 运城 044000
使用AFORS-HET软件模拟研究HIT太阳电池能带结构, 讨论了发射区p型反转层的形成及影响因素, 及其对电池性能的影响。结果表明: 在n型单晶硅内, 与p型非晶硅异质结界面处, 形成p型反转层;p-Si∶H的掺杂浓度可调节费米能级位置, 进而影响反转层的形成。HIT电池类似于p-n同质结电池, p型反转层作为太阳电池发射层, 对太阳电池的性能起决定性作用。
模拟 氢化非晶硅 反转 AFORS-HET AFORS-HET simulation HIT HIT a-Si∶H inversion
1 运城学院物理与电子工程系, 山西 运城 044000
2 陕西师范大学物理与信息技术学院, 陕西 西安 710062
研究了不同环境温度下晶体LaOF和非晶体SiO2纳米体系中掺杂Tm3+ 离子的荧光光谱。结果表明，在20~300 K的温度范围内，荧光谱线的宽度、强度以及谱线位置均随温度的升高而变化。发光离子的局域环境直接影响荧光光谱对环境温度的依赖程度：SiO2中发光离子的荧光寿命受温度影响较小，而位于晶相环境LaOF中离子的荧光寿命则显示较强的温度依赖特性，在脉冲激光激发条件下，研究了3H4能级荧光寿命随温度变化的规律。
材料 晶相 荧光光谱 温度特性 Tm3+离子 荧光衰减
1 运城学院 物理与电子工程系, 山西 运城 044000
2 陕西师范大学 物理与电子信息学院，西安 710062
应用激光光谱学的研究手段和方法，探讨了红色激光抽运Tm3+离子掺杂纳米体系中上转换荧光辐射性质的影响因素. 通过变化基质和改变样品的环境温度，研究了声子能量大小对Tm3+离子掺杂纳米体系中上转换效率的影响.结果显示:合适声子能量可以有效提高Tm3+离子蓝色上转换效率.此外，依据声子能量与温度之间的联系，改变样品环境温度可调节低声子基质材料中Tm3+离子激发态能级的布居速率，改变上转换效率.
上转换 声子能量 无辐射弛豫 荧光寿命 光谱 Upconversion Phonon energy Nonradiation relaxation Fluorescence lifetime Spectroscopic
陕西师范大学物理与信息技术学院,陕西西安,710062
多晶硅薄膜在微电子和能源科学领域有着广泛的应用.本文介绍了利用铝诱导晶化非晶硅制备多晶硅薄膜的方法,叙述了铝诱导晶化法制备多晶硅薄膜的一般过程,着重讨论了铝诱导晶化非晶硅的机理和在制备过程中各种参数对多晶硅薄膜质量的影响.
铝诱导晶化 多晶硅薄膜 晶化机理
