1 苏州科技学院,电子与信息工程系,江苏,苏州,215011
2 西安交通大学,电子材料研究所,陕西,西安,710049
采用Sol-Gel方法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zrx,Ti1-x)O3成分梯度薄膜.经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的"上梯度"薄膜进行了成分深度分析,结果证实其成分梯度的存在.经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变.经介电频谱测试表明,梯度薄膜的介电常数比每个单元的介电常数都大,但介电损耗相近.在10 kHz时,上、下梯度薄膜的介电常数分别为206和219.经不同偏压下电滞回线的测试表明,上、下梯度薄膜均表现出良好的铁电性质,其剩余极化强度Pr分别为24.3和26.8 μC·cm-2.经热释电性能测试表明,热释电系数随着温度的升高逐渐增加,室温下上、下梯度薄膜的热释电系数分别为5.78和4.61×10-8 C·cm-2K-1,高于每个单元的热释电系数.
成分梯度薄膜 锆钛酸铅 快速热处理 热释电系数 compositionally graded thin films Pb(ZrxTi1-x)O3 pyroelectric coefficient
西安交通大学电子材料研究所,陕西,西安,710049
使用一种新的快速热处理的方法制备出Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)薄膜,该方法的主要设备为链式热处理炉,它主要分为三部分,即预热带、加热带和冷却带.溶胶的配制采用先通过减压蒸馏的方法得到干凝胶,再将干凝胶溶解在乙二醇甲醚中的方法得到.对干凝胶作了DSC-TG分析;对薄膜作了X-射线衍射分析,结果为纯的钙钛矿结构的晶相;在10kHz时薄膜的相对介电常数为235,介质损耗小于0.02;C-V特性曲线以及P-E电滞回线显示薄膜具有良好的铁电性能.
快速热处理 链式热处理炉 减压蒸馏 钙钛矿结构 RTA caterpillar furnace reduced pressure distillation perovskite structure
采用溶胶-凝胶方法在普通的载玻片上制备了CdS微晶掺杂的TiO2/SiO2复合薄膜。用正硅酸乙酯、钛酸丁酯、醋酸镉作原料,比较了两种硫化剂:硫尿和硫代乙酰氨的硫化作用。X射线衍射谱和拉曼光谱揭示了CdS微晶镶嵌在TiO2/SiO2薄膜的玻璃网络中。不同热处理温度、不同热处理时间的吸收光谱表明薄膜中存在着量子尺寸效应。采用Z扫描技术测量了薄膜的非线性吸收及非线性折射率n2=-4.67×10-7 esu。
溶胶-凝胶 薄膜 结构 吸收光谱 光学非线性
1 西安交通大学电子材料研究室, 西安 710049
2 清华大学电子工程系, 北京 100084
利用镁离子内扩散的方法,实现了铌酸锂单晶光纤具有抛物型折射率包层的波导结构。对扩散层中的镁离子浓度分布进行了理论模拟,理论和实验结果相符合。
晶体光纤 镁离子内扩散 波导结构 理论模拟
1 西安交通大学电子材料研究室, 西安 710049
2 清华大学电子工程系, 北京 100084
给出了具有均匀折射率包层铌酸锂单晶光纤的场强分布和本征值方程,分析了远离截止区的模特性。
晶体光纤 本征值方程 远离截止
1 西安交通大学电子材料研究室, 西安 710049
2 清华大学电子工程系,北京 100084
通过镁离子内扩散方法.实现了沿α轴生长的Nd:MgO:LiNbO3单晶光纤具有阶跃折射率分布的芯-包层波导结构。并研制成LD泵浦的该包层单晶光纤室温腔外倍频激光器,在19 mW的1.064 μm入射光功率下,得到10 μW的0.532 μm的连续绿光输出。
Nd:MgO:LiNbO3单晶光纤 镁离子内扩散 包层 LD泵浦 倍频激光器.Nd:YVO4晶体
1 西安交通大学电子材料研究室, 西安 710049
2 清华大学电子工程系, 北京 100084
利用镁离子内扩散方法,实现了铌酸锂单晶光纤具有抛物折射率分布的芯-包层波导结构,并对镁离子内扩散包层后的晶纤进行了损耗测量,测得其损耗系数比镁离子内扩散前降低14 dB/cm的好结果。此外,还对镁离子内扩散前后晶纤的光斑形状进行了观察和比较。
晶体光纤 镁离子内扩散 抛物折射率包层 光损耗 光斑
1 西安交通大学电子材料研究室, 西安 710049
2 清华大学电子工程系, 北京 100084
利用受扰光纤理论理论和光纤弹光效应理论对YAP晶体光纤弹光效应进行了理论分析和实验研究.结果表明,这种晶纤可在弹光调制、压力和加速度传感等方面得到应用,并为该类传感器的设计提供理论根据.
YAP晶纤 干扰理论 弹光效应
1 西安交通大学电子材料研究室, 西安 710049
2 清华大学电子工程系, 北京 100084
利用镁离子内扩散方法,实现了铌酸锂单晶光纤具有阶跃折射率剖面的芯-包层波导结构,并给出了这一晶纤的特征方程和截止条件,讨论了模的一些传输特性。
晶体光纤 镁离子内扩散 阶跃折射率包层