Author Affiliations
Abstract
1 Soft Matter Physics, Johannes Kepler University, Altenbergerstraße 69, 4040 Linz, Austria
2 Institute of Applied Sciences & Intelligent Systems, National Research Council (CNR-ISASI), Via Campi Flegrei 34, 80078 Pozzuoli (NA), Italy
The characterization of pyroelectric materials is essential for the design of pyroelectric-based devices. Pyroelectric current measurement is the commonly employed method, but can be complex and requires surface electrodes. Here, we present noncontact electrostatic voltmeter measurements as a simple but highly accurate alternative, by assessing thermally-induced pyroelectric surface potential variations. We introduce a refined model that relates the surface potential variations to both the pyroelectric coefficient and the characteristic figure of merit (FOM) and test the model with square-shaped samples made from PVDF, LiNbO3 and LiTaO3. The characteristic pyroelectric coefficient for PVDF, LiNbO3 and LiTaO3 was found to be 33.4, 59.9 and 208.4 μC m2 K1, respectively. These values are in perfect agreement with literature values, and they differ by less than 2.5% from values that we have obtained with standard pyroelectric current measurements for comparison.
Pyroelectric coefficient surface potential figure of merit 
Journal of Advanced Dielectrics
2023, 13(4): 2341002
作者单位
摘要
1 西安工业大学 光电微系统研究所,陕西 西安 710032
2 华中光电技术研究所,湖北 武汉 430074
在制造红外热释电探测器阵列过程中,需要利用超薄钽酸锂(LiTaO3)晶片作为红外热释电探测器件的敏感层。通常LiTaO3晶片的厚度远厚于红外热释电探测器件要求的厚度,所以需要采用键合减薄技术对LiTaO3晶片进行加工处理。键合减薄技术主要包括:苯并环丁烯(BCB)键合、铣磨、抛光、加热剥离、刻蚀BCB。加工后得到面积为10 mm×10 mm、厚度为25μm的超薄单晶LiTaO3薄膜,晶片厚度、表面粗糙度和面形精度比较理想。测得了LT晶片减薄后的热释电系数为1.6×10-4Cm-2K-1。得到的单晶LiTaO3薄膜满足红外热释电探测器敏感层的要求。
红外热释电探测器 LiTaO3晶片 键合减薄 热释电系数 pyroelectric infrared detector LiTaO3 wafer wafer bonding and mechanical thinning pyroelectric coefficient 
应用光学
2007, 28(6): 0769
作者单位
摘要
1 苏州科技学院,电子与信息工程系,江苏,苏州,215011
2 西安交通大学,电子材料研究所,陕西,西安,710049
采用Sol-Gel方法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zrx,Ti1-x)O3成分梯度薄膜.经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的"上梯度"薄膜进行了成分深度分析,结果证实其成分梯度的存在.经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变.经介电频谱测试表明,梯度薄膜的介电常数比每个单元的介电常数都大,但介电损耗相近.在10 kHz时,上、下梯度薄膜的介电常数分别为206和219.经不同偏压下电滞回线的测试表明,上、下梯度薄膜均表现出良好的铁电性质,其剩余极化强度Pr分别为24.3和26.8 μC·cm-2.经热释电性能测试表明,热释电系数随着温度的升高逐渐增加,室温下上、下梯度薄膜的热释电系数分别为5.78和4.61×10-8 C·cm-2K-1,高于每个单元的热释电系数.
成分梯度薄膜 锆钛酸铅 快速热处理 热释电系数 compositionally graded thin films Pb(ZrxTi1-x)O3 pyroelectric coefficient 
红外与毫米波学报
2005, 24(4): 250

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!