在制造红外热释电探测器阵列过程中，需要利用超薄钽酸锂(LiTaO₃)晶片作为红外热释电探测器件的敏感层。通常LiTaO₃晶片的厚度远厚于红外热释电探测器件要求的厚度，所以需要采用键合减薄技术对LiTaO₃晶片进行加工处理。键合减薄技术主要包括：苯并环丁烯(BCB)键合、铣磨、抛光、加热剥离、刻蚀BCB。加工后得到面积为10 mm×10 mm、厚度为25μm的超薄单晶LiTaO₃薄膜，晶片厚度、表面粗糙度和面形精度比较理想。测得了LT晶片减薄后的热释电系数为1．6×10^－4Cm^－2K^－1。得到的单晶LiTaO₃薄膜满足红外热释电探测器敏感层的要求。

基于动态变温方法及间接热释电电流法的原理,设计并研制了一套已获专利授权的动态热释电系数测试系统.介绍了该系统的测量原理、设计方法及组成,用已知热释电系数值的锆钛酸铅(PZT)陶瓷及钽酸锂(LT)单晶作为参考样品对系统进行了调试,并对PZT、聚二氟乙烯(PVDF)及钛酸锶钡(BST)等几种常见的铁电薄膜材料的热释电系数进行了测试.结果表明,热释电系数测试值与参考值吻合很好,而且该系统具有控温精度高(±0.002℃)、噪声低(≤14 nV)、测试动态范围大(1×10-11～1×10-4 C·cm-2·K-1)等优点,它不仅能满足传统热释电模式工作的PZT系列材料热释电系数的测试需要,还可用于测量热释电-介电模式工作的BST系列材料的热释电系数.文中所开发的动态法热释电系数测试系统完全可满足未来铁电材料在红外探测应用领域的研究要求.

采用Sol-Gel方法,通过快速热处理,在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备出Pb(Zrx,Ti1-x)O3成分梯度薄膜.经俄歇微探针能谱仪(AES)对制备的"上梯度"薄膜进行了成分深度分析,结果证实其成分梯度的存在.经XRD分析表明,制备的梯度薄膜为四方结构和三方结构的复合结构,但其晶面存在一定的结构畸变.经介电频谱测试表明,梯度薄膜的介电常数比每个单元的介电常数都大,但介电损耗相近.在10 kHz时,上、下梯度薄膜的介电常数分别为206和219.经不同偏压下电滞回线的测试表明,上、下梯度薄膜均表现出良好的铁电性质,其剩余极化强度Pr分别为24.3和26.8 μC·cm-2.经热释电性能测试表明,热释电系数随着温度的升高逐渐增加,室温下上、下梯度薄膜的热释电系数分别为5.78和4.61×10-8 C·cm-2K-1,高于每个单元的热释电系数.