为了验证外延材料制备工艺试验的正确性，减少GaSb衬底对红外光的吸收，同时提升探测器的可靠性和长期稳定性，需要对II类超晶格红外探测器的GaSb衬底进行减薄处理。采用机械抛光法和机械化学抛光法实现II类超晶格探测器的GaSb衬底背面减薄，最后利用专用腐蚀液腐蚀的方法将GaSb衬底全部去除，使II类超晶格材料完全露出。扫描电镜测试表明，超晶格材料腐蚀阻挡层能起到较好的阻挡作用，材料表面光滑，衬底无残留。探测器性能测试结果表明，减薄后的探测器芯片性能未发生变化。
II类超晶格 锑化镓衬底 背面减薄 腐蚀 type-II superlattice GaSb substrate back-thinning etch
中国电子科技集团公司第十一研究所，北京 100015
红外焦平面探测器的光谱一致性是评价材料制备水平的重要参数之一。探测器材料因制备工艺的不同而存在差异。由于光谱仪光斑尺寸的限制、探测器杜瓦结构的局限性以及设备采集光谱的巨大数据量，难以对探测器组件的光谱一致性进行测试分析。为此提出了一种新方法，即选取用传统工艺和优化工艺制备的两种探测器样品，并选取成像图中与工艺相关的多个明暗特征区域，再测试这些区域的光谱曲线并对其进行分析汇总，然后通过比较光谱最大差异来评判探测器光谱一致性的优劣。该方法测得两种探测器特征区域的光谱最大差异分别为1.21μm和0.30μm。测试结果表明，优化工艺后的光谱一致性优于传统工艺。
红外探测器 光谱一致性 图像特征区域 infrared detector spectral consistency image feature region
1 哈尔滨工程大学 生物医学材料与工程研究中心， 黑龙江 哈尔滨150001
2 哈尔滨理工大学 材料科学与工程学院， 黑龙江 哈尔滨150080
采用改进后的合成方法，以Se和ZnO粉末为原料，在十六胺(HDA)、月桂酸(LA)和三辛基膦(TOP)有机溶剂体系中合成了胶体ZnSe和ZnS量子点。主要研究了溶剂配比、反应温度及生长时间对ZnSe量子点粒径和光学性质的影响。结果表明：制得的ZnSe和ZnS量子点均是纤锌矿型结构，且具有较好的尺寸均匀性、分散性及荧光特性。粒子直径可控制在4.5~8 nm范围内。采用参数n(ZnO)∶n(HDA)∶n(LA)=1∶2.1∶5.2，c(TOPSe)=1 mol/L，在280 ℃成核，240 ℃生长条件下合成的ZnSe量子点具有最佳的尺寸范围，并且随着生长时间的延长，粒径变大，荧光发射峰明显红移。
量子点 合成 光致发光 ZnSe ZnSe ZnS ZnS quantum dots synthesis photoluminescence
