1 西安电子科技大学 微电子学院, 陕西 西安 710071
2 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室, 北京 100083
3 中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区 导弹工程系, 河北 石家庄 050003
4 西北大学 光子学与光子技术研究所, 陕西 西安 710069
5 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
采用分子束外延设备(MBE), 外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中, 通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度, 分别对比了材料二维电子气特性的变化, 并在隔离层厚度为5 nm时, 获得了室温电子迁移率为20500 cm2/V·s, 面电荷密度为2.0×1012/cm2的InAs/AlSb二维电子气结构样品, 为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.
二维电子气 迁移率 高电子迁移率晶体管(HEMT) 分子束外延(MBE) 2DEG mobility high electron mobility transistor (HEMT) molecular beam epitaxy (MBE)
