作者单位
摘要
1 西安电子科技大学 微电子学院 宽禁带半导体技术国防重点学科实验室,陕西 西安 710071
2 中兴通讯股份有限公司,广东 深圳 518057
提出了一种用于InP 高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)的分布式小信号等效电路建模方法。在采用的模型中考虑了分布电容效应,通过加入三个分布电容来表征。为了精确建模,在提取寄生电容时考虑到寄生电感引入的误差,首先提取了寄生电感。在达到50 GHz的InP HEMT中,小信号建模方法的有效性得到了验证。此外,在2~50 GHz频率范围内,S参数建模误差小于4%,这也证明了所提出建模方法的高建模精度。
分布式模型 小信号模型 模型参数 提取方法 高电子迁移率晶体管 distributed model small signal model model parameters extraction methods high electron mobility transistor(HEMT) 
红外与毫米波学报
2022, 41(2): 511
作者单位
摘要
1 School of Microelectronics, Xidian University, Key Laboratory of Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, Xi’an7007, China
2 Electrical Engineering College, Henan University of Science and Technology, Luoyang47103, China
提出了一种改进的直接提取方法来提取InP HBT小信号等效电路中的模型参数,并将其成功地应用InP异质结双极晶体管(HBT)小信号等效电路。在所采用的模型中考虑了分布式基极-集电极电容效应。与其他直接参数提取方法相比,该方法从外围寄生元件到内部本征元件依次进行参数提取,提取过程较为清晰。除寄生参数外,其余所有的参数计算均未经过任何简化近似。该方法依赖于S参数的测量,所有等效电路参数直接从S参数数据中提取,而无需任何基于初始值的近似。在0.1 ~ 40 GHz的频率范围内,直接提取法在InP HBT上得到了成功的验证,并在整个频率范围内得到了较好的测量结果与计算结果的一致性。
直接提取法 磷化铟异质结双极型晶体管 小信号模型 参数提取 direct extraction method InP HBT small-signal model parameter extraction 
红外与毫米波学报
2020, 39(3): 295
作者单位
摘要
中北大学信息与通信工程学院, 山西太原 030051
对小波基分类是图像融合中依据不同融合需求选择小波基的基础, 可以提高图像融合的智能化水平。针对现有的小波基分类方法仅根据小波自身特性进行分类, 没有从统计角度有效建立小波基和图像差异特征之间的联系, 本文提出了面向图像差异特征融合的基于弗里德曼检验的小波基分类方法。首先, 选择典型的差异特征和小波基用于分类研究; 其次, 选择针对差异特征的评价指标, 以评价指标结果作为标记量并进行分类实验的区组设计; 然后, 采用弗里德曼检验对不同区组数据进行处理及执行相应的后续检验和分类步骤, 形成面向图像差异特征的小波基类集; 最后, 设计对比实验对分类方法的有效性进行验证和分析。试验结果表明, 该分类方法能有效把对图像差异特征融合效果相近的小波基归为一类, 能根据融合需求选择较好的小波基。
红外图像融合 差异特征 弗里德曼检验 小波变换 小波基分类 infrared image fusion difference features Friedman test wavelet transform wavelet bases classification 
红外技术
2019, 41(1): 44
崔晓然 1,2吕红亮 1李金伦 2,3苏向斌 2,4[ ... ]牛智川 2,5
作者单位
摘要
1 西安电子科技大学 微电子学院, 陕西 西安 710071
2 中国科学院半导体研究所 超晶格实验室, 北京 100083
3 中国人民解放军陆军工程大学石家庄校区 导弹工程系, 河北 石家庄 050003
4 西北大学 光子学与光子技术研究所, 陕西 西安 710069
5 中国科学院大学 材料科学与光电技术学院, 北京 100049
采用分子束外延设备(MBE), 外延生长了InAs/AlSb二维电子气结构样品.样品制备过程中, 通过优化AlGaSb缓冲层厚度和InAs/AlSb界面厚度、改变AlSb隔离层厚度, 分别对比了材料二维电子气特性的变化, 并在隔离层厚度为5 nm时, 获得了室温电子迁移率为20500 cm2/V·s, 面电荷密度为2.0×1012/cm2的InAs/AlSb二维电子气结构样品, 为InAs/AlSb高电子迁移率晶体管的研究和制备提供了参考依据.
二维电子气 迁移率 高电子迁移率晶体管(HEMT) 分子束外延(MBE) 2DEG mobility high electron mobility transistor (HEMT) molecular beam epitaxy (MBE) 
红外与毫米波学报
2018, 37(4): 385
作者单位
摘要
1 西安电子科技大学 宽带隙半导体技术国家重点学科实验室, 陕西 西安 710071
2 中国科学院半导体研究所, 超晶格国家重点实验室, 北京 100083
为了得到较低的接触电阻, 研究了帽层未掺杂的InAs/AlSb 异质结的Pd/Ti/Pt/Au合金化欧姆接触.利用传输线模型(TLM)测量了接触电阻Rc.在最佳的快速热退火条件为275 °C和20 s时, InAs/AlSb 异质结的Pd/Ti/Pt/Au接触电阻值为0.128 Ω·mm.TEM观察发现经过快速热退火后Pd已经扩散到半导体中有利于高质量欧姆接触的形成.研究表明经过Pd/Ti/Pt/Au 合金化欧姆接触后Rc有明显减小, 适用于InAs / AlSb 异质结的应用.
欧姆接触 快速热退火 InAs/AlSb异质结 Ohmic contacts rapid thermal annealing InAs/AlSb heterostructures 
红外与毫米波学报
2018, 37(6): 679

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