1 微光夜视技术重点实验室，陕西西安 710065
2 昆明物理研究所，云南昆明 650223
针对带防离子反馈膜的微通道板(MCP)普遍存在的 C污染现象，开展了真空热处理、紫外臭氧辐照及氢气热处理试验，对各个试验结果进行了 MCP电性能测试及俄歇电子能谱(AES)研究，着重分析了 MCP表面 C含量及 MCP性能随不同试验方法的变化趋势。试验结果表明，C含量的降低对 MCP性能的提升具有显著作用，真空热处理对 C的分解作用甚微，紫外臭氧辐照及氢气热处理均可以较为彻底地去除 MCP表面 C污染，并且氢气热处理对 MCP增益性能的提升作用显著，效率最高。
C污染 防离子反馈 MCP 紫外辐照 氢气处理 C pollution, MCP with ion barrier film, UV irradia
1 微光夜视技术重点实验室，山西 西安 710065
2 北方夜视科技集团股份有限公司，云南 昆明 650223
针对一种短波红外阈透射式光阴极，简要介绍其光子吸收层和电子发射层分离式异质结结构后，结合异质结两侧对红外光子显著吸收效应参数和对电子高效输运特性参数进行建模，详细研究了场助电压对p-p 型异质结能带结构和对短波红外阈透射式光电阴极的影响。研究结果显示：Schottky 势垒偏压至少要达到8 V 才能较好消除p-InGaAs/p-InP 异质结的势垒影响。此时，为达到较小的漏电流，In0.53Ga0.47As 光吸收层厚度2 μm，InP 发射层厚度1 μm，掺杂浓度均为1×1016 cm－3。
场助式光阴极 短波红外阈 异质结 field-assisted photocathode short-wave infrared threshold InGaAs InGaAs heterojunction
西安应用光学研究所 第二研究室 微光夜视技术国防科技重点实验室，陕西 西安 710065
为消除反馈正离子对三代微光夜视器件光阴极的有害轰击，提高微光像增强器的工作寿命，开展了低磁控溅射率法沉积微通道板(MCP)Al2O3防离子反馈膜的工艺研究。通过优化制备工艺，获得了制备MCP防离子反馈膜的最佳沉积条件：溅射电压1000V，溅射气压(4～5)×10－2Pa，沉积速率0．5nm／min等。研究结果表明：在此工艺条件下，能够制备出均匀、致密且通孔满足质量要求的MCP防离子反馈膜。如果偏离这一最佳工艺条件，制备出的MCP防离子反馈膜膜层疏松、不连续，且通孔不能满足要求。
磁控溅射 微通道板(MCP) 防离子反馈膜 magnetron sputtering microchannel plate ion-feedback barrier film
微光夜视技术国防科技重点实验室，陕西 西安 710065
为了满足Φ30 mm MCP大束流短时间电子清刷新工艺要求，以轴向电子枪工作原理为基础，利用静电场对电子的作用理论，分析了电子的运动轨迹，并对电子的偏转进行了计算。根据计算结果，设计了电子枪的基本结构，确定了电子枪的各种参数：灯丝材料为Φ0．05 mm的钨(75%)铼(25%)合金丝；灯丝形状为“V”字型；电子枪外径为Φ35 mm，高度为20 mm，最大加热功率为12．6W时，电子发射电流密度达到1．26×10－5A／cm2。用该电子枪对4块性能相近的Φ30mm MCP电子清刷4h后，MCP的增益值达到500±50。这表明：用新电子枪可以代替原RUS－A型电子枪。
微通道板(MCP) 电子清刷用电子枪 电子枪灯丝 microchannel plate (MCP) electron gun for electron scrubbing filament of electron gun
微光夜视技术国防科技重点实验室，陕西 西安 710065
分辨力和传递函数MTF是微光像增强器的2个重要参数。长期以来，人们对于三代微光像增强器阴极发出的电子初能量分布没有统一的认识，从而没有一个公认的分辨力和MTF计算模型。通过理论分析和假设，给出一定条件下一个分辨力计算模型。把实际测得的第一近贴距、第二近贴距、阴极电压和荧光屏电压等数值代入分辨力计算模型中，可以得到分辨力理论值。经与实际测量值进行比对，发现二者偏差值在12．3%以内，此理论模型基本符合实际需求。该分析方法和所得结果有一定实用价值，可作为设计三代微光像增强器的技术参考。
三代微光像增强器 双近贴 微通道板(MCP) 分辨力 generation Ⅲ image intensifier double-proximity focus MCP resolution MTF MTF
