利用光纤激光-金属活性气体(MAG)复合焊接方法焊接了25 mm厚的27SiMn高强钢, 分析了焊接接头的微观组织和力学性能。结果表明, 接头钝边焊道焊缝和热影响区主要为马氏体; 填充焊道的焊缝主要由晶内针状铁素体、少量先共析铁素体和上贝氏体组成, 其热影响区组织以马氏体为主。焊接接头硬度分布不均匀, 钝边焊道硬度的最高值出现在焊缝; 填充焊道硬度的最高值出现在粗晶区, 母材的硬度最低。拉伸时接头均断于母材。冲击试验结果表明, 钝边焊道焊缝的冲击断口存在脆性断裂区和韧性断裂区, 填充焊道焊缝的冲击断口仅观察到韧性断裂区。

建立了一种研究超宽谱电磁脉冲孔缝耦合特性的实验方法和实验装置, 并对不同辐照脉宽、不同口径和不同深度的圆孔的耦合场进行了测量, 该方法在一定的时间窗口内避开了反射场和散射场对耦合场的影响。实验结果表明: 相同入射场幅值条件下, 耦合场的幅值随着脉冲宽度和孔深的增加而减小, 随着孔径的增大而增大。

基于微波网络理论，提出了一种基于变绝缘层的同轴光子带隙晶体应变传感器的设计方法。给出了同轴光子带隙晶体传感器的结构形式，推导了传感器带隙极值频率与晶体电长度之间的关系。根据给定监测频点设计了传感器的几何尺寸及材料参数，计算了传感器的S参数，计算结果与仿真结果相吻合。分析了提高该传感器灵敏度和品质因数的方法，并搭建了实验测试平台。实验结果表明: 当应变量由0 με提高至10 000 με时，极值频率由2.450 GHz移至2.432 GHz，频移量为18 MHz，灵敏度为1.8 kHz/με。得到的实验结果与仿真结果相吻合，验证了本文所提出的基于变绝缘层的同轴光子带隙晶体应变传感器设计方法的可行性和有效性。该传感器可满足不同灵敏度需求下对应变的实时监测。

由于微通道板除气不彻底, 导致双微通道板像增强器在工作时视场上出现闪烁噪声, 因而无法正常工作。为了消除闪烁噪声并使微通道板增益进入一个稳定值区间, 采用不同的电子清刷控制方法, 对两块微通道板进行彻底除气, 结果表明:增大萃取电荷量的方法在减少闪烁噪声的同时也会降低像增强器的增益, 而增加台外预先电子清刷阶段并且使第二块微通道板的预先萃取电荷量大于第一块微通道板, 可以完全消除闪烁噪声。选择合适的预先萃取电荷量, 可以保证像增强器的增益达到 105以上, 制作出合格的双微通道板像增强器。

鉴于不同的铯氧电流激活GaAs光阴极时会对激活过程和结果产生不同的影响，从而影响GaAs光阴极的灵敏度和稳定性。以固定铯源电流，改变氧源电流的方式获取不同铯、氧电流比，激活同类GaAs光阴极，得到了3组实验数据。对数据进行分析，结果表明：同类光阴极在相同条件下激活时，光电流出现的时间几乎一致，并且首个光电流峰值也非常接近；激活时ICs/IO=1.07是目前获得高灵敏度、高稳定性GaAs光阴极的最佳电流比，而ICs/IO=1.10时光阴极灵敏度低但稳定性好，ICs/IO=1.03时光阴极灵敏度高但稳定性差。双偶极层模型认为Cs、O激活后GaAs表面形成了稳定均匀的GaAs-O-Cs:Cs-O-Cs双偶极层，并达到了负电子亲和势，这一点与实验数据的分析结果相一致。该方法可用于提高GaAs光阴极灵敏度和稳定性。

为解决透射式Cs₂Te光阴极厚度不均匀问题，通过理论和实验研究，分析了产生此问题的机理及其影响因素。这些因素包括：蒸发源发生器形状及其与阴极基底之间的相对位置；Cs／Te原子在阴极基底表面上完成化学反应所需的结合能以及制作阴极前基底表面所能达到的温度均匀性水平等。实验证明，上述最后一个因素是影响Cs₂Te光阴极厚度不均匀的主要原因。通过改变加温程序，优化保温时间，均衡阴极基底与阴极托盘温度梯度等途径，使得制作的透射式Cs₂Te光阴极厚度不均匀性由原来的76．4%，改善为＜10%。

为了满足Φ30 mm MCP大束流短时间电子清刷新工艺要求，以轴向电子枪工作原理为基础，利用静电场对电子的作用理论，分析了电子的运动轨迹，并对电子的偏转进行了计算。根据计算结果，设计了电子枪的基本结构，确定了电子枪的各种参数：灯丝材料为Φ0．05 mm的钨(75%)铼(25%)合金丝；灯丝形状为“V”字型；电子枪外径为Φ35 mm，高度为20 mm，最大加热功率为12．6W时，电子发射电流密度达到1．26×10^－5A／cm²。用该电子枪对4块性能相近的Φ30mm MCP电子清刷4h后，MCP的增益值达到500±50。这表明：用新电子枪可以代替原RUS－A型电子枪。