GaAs光电阴极以其量子效率高、光谱可调等优点广泛应用于微光夜视领域，尤其以高积分灵敏度的特性区别于多碱光电阴极，而 GaAs光电阴极负电子亲合势的特性是通过 Cs，O激活实现的，但是激活结束后，负电子亲合势的维持受诸多因素影响，如激活源、激活方式、气体氛围等。为了探究超高真空系统中影响 GaAs光电阴极稳定性的因素，开展了 GaAs光电阴极的激活实验和稳定性实验，对激活光电流曲线与腔室气体成分进行了监测，实验结果表明，在真空度优于 1×10－6 Pa的高真空系统中，影响其稳定性的是腔室中的气体成分，其中对稳定性影响最大的是 H2O，真空系统中 H2O分压的增加会导致 GaAs光电阴极的 Cs，O激活层迅速破坏，光电发射能力急剧下降。

在幻影成像系统中，投影式成像装置具有制造成本低、成像系统操作便捷的优点，但由于投影光线发散和光源处光束偏轴角的存在，投影图像照射到四棱锥斜面时会发生几何畸变，导致三维模型失真。针对该问题，提出一种投影图像局域几何畸变的校正方法。通过提取投影图片，分析并建立投影图像形状和三维模型失真程度的映射关系，利用透视变换，构建投影图像局部几何畸变的矫正模型，实现三维模型的失真补偿。实验结果证明，校正后图像边长误差从34.4%降低到3.3%，角度误差从18.3%降低到3.3%，验证了该方法的有效性和可行性。

针对铝镓氮光阴极像增强器极限分辨力远小于同结构类型砷化镓光阴极像增强器极限分辨力的问题，基于紫外光激发荧光粉发光的特性，搭建了铝镓氮光阴极的紫外光传输特性评测装置，对铝镓氮光阴极紫外光传输特性进行了测量，并依据非衍射光学系统传函方程推算了铝镓氮光阴极的紫外光学传递函数；依据近贴聚焦系统调制传递函数方程，并基于制备的铝镓氮光阴极像增强器的分辨力测试数据，推导了铝镓氮光阴极像增强器的前近贴聚焦系统调制传递函数方程；通过对比研究铝镓氮光阴极的紫外光调制传递函数方程和铝镓氮光阴极像增强管的前近贴聚焦系统调制传递函数方程对系统传函影响的比例权重，提出紫外光在铝镓氮光阴极内部传输时紫外光散射，以及紫外光激发载流子在铝镓氮激活层中的散射和发射电子散射均是造成铝镓氮光阴极像增强管极限分辨力低的因素，且紫外光激发载流子在铝镓氮激活层中的散射和发射电子散射是最主要的影响因素。

建立了基于飞秒激光抽运-探测原理的时间分辨阴影成像平台,直接获取了飞秒激光烧蚀石英微孔的超快过程图像。在不同能量密度、时间延迟、脉冲数量条件下,观察到随时间延迟变化的等离子体通道衰退、冲击波膨胀和微孔伸长现象。实验结果表明,所提系统有助于飞秒激光烧蚀诱导透明介质内部微纳结构的原位观察。

研制了一套微通道封装结构半导体激光器的低温测试表征系统, 实现了对高功率半导体激光器在－60℃~0℃低温范围内的输出功率、电光转换效率和光谱等关键参数稳定可靠的测试表征. 采用计算流体力学及数值传热学方法, 模拟了无水乙醇、三氯乙烯以及五氟丙烷三种载冷剂的散热性能. 模拟结果表明, 压降均为0.47 bar时, 采用无水乙醇作载冷剂的器件具有最低的热阻(热阻为0.73 K/W)和最好的温度均匀性(中心和边缘发光单元温差为1.45℃). 低温测试表征系统采用无水乙醇作为载冷剂, 最大可实现0.5 L/min的载冷液体流量, 最多能容纳5个半导体激光器巴条同时工作. 基于该低温测试表征系统, 对微通道封装结构976 nm半导体激光器巴条在6%占空比下的低温特性进行了研究. 测试结果表明, 载冷剂温度由0℃下降到－60℃, 半导体激光器的输出功率由388.37 W提升到458.37 W, 功率提升比为18.02%; 电光转换效率由60.99%提升到67.25%, 效率提升幅度为6.26%; 中心波长由969.68 nm蓝移到954.05 nm. 器件开启电压增加0.04 V, 阈值电流降低3.93 A, 串联电阻增加0.18 mΩ, 外微分量子效率提高11.84%. 分析表明, 阈值电流的减小及外微分量子效率的提高, 是促使半导体激光器在低温下功率、效率提升的主要因素. 研究表明, 采用液体微通道冷却的低温工作方式, 是实现半导体激光器高输出功率、高电光转换效率的一种有效手段.

基于真空光电阴极和背照式 CMOS图像传感器研制了电子轰击 CMOS(EBCMOS)混合型光电探测器。为了对 BSI-CMOS图像传感器在 EBCMOS混合型光电探测器领域的应用提供可靠性指导, 对 BSI-CMOS图像传感器进行了 100℃～325℃的变温热处理实验, 着重分析了热处理后的 BSI-CMOS图像传感器的光响应输出信号值、固定模式噪声(fixed pattern noise, FPN)、随机噪声及信噪比(signal-to-noise ration, SNR)随热处理温度的变化规律。实验结果表明: 随着热处理温度的升高, 样品器件的光响应输出信号值基本保持不变, 当温度升高至 325℃时, 样品器件的固定模式噪声由 32 e.升高至 246 e., 随机噪声由 51 e.升高至 70 e., 信噪比由 17.76 dB降低至 4.81 dB, 其中信噪比的降低主要归因于固定模式噪声的增大, 热处理温度达到 325℃会导致 BSI-CMOS图像传感器信噪比明显降低。

目的: 观察不同波长微激光对人体皮肤紧致的调理效果以及联合化妆品对人体皮肤的调理作用。方法: 将60名符合条件的志愿者随机编号,按照单双号分为①组和②组。①组: 采用美国Tanda luxe型红光嫩肤仪,659 nm,109 mW/cm2。②组: 美国Baby quasar MD plus型红光嫩肤仪,635 nm,78 mW/cm2。照射区域为左右侧眼角,右侧眼角先用试剂涂抹15 min,左侧眼角什么都不涂,然后左右侧眼角同时照射红光3 min,隔天照射1次,每周3次,持续8周。以皮肤弹性及胶原纤维水平、皮肤皱纹水平为评价指标,治疗前后应用皮肤分析系统及数码相机拍摄的照片对评价指标进行比较分析,得到它们的量化值。结果: 光照1个月后,①组右眼角区域(联合处理组)的弹性水平有显著提高,其他组变化不明显。受试1个月后,各处理组的胶原水平均有极明显的提升。经过2个月的光照或联合处理,所有试验组志愿者皮肤的弹性水平、胶原水平较试验前均有极为明显地提升,差异有统计学意义(P＜0.01)。结论: 所选择的两种红光光源(659 nm,109 mW/cm2和635 nm,78 mW/cm2)都具有很好的皮肤紧致效果。两种红光光源引起的皮肤紧致效果间无显著差异,且光照与紧致护肤品联合使用比单一光照具有更好的紧致效果,这种联合效应在659 nm的红光光源上表现得更为明显。

为了对相变层的厚度以及伪装涂料8~14 μm波段发射率值在不同季节对目标的伪装效率影响, 结合太阳辐射, 植被温度以及气温变化, 建立目标及单一植被背景在晴朗天气情况下不同季节的一日辐射温度变化模型。先后改变相变层的厚度和涂料发射率值, 得出相应的目标辐射温度。计算采用不同相变层厚度和发射率值时目标的伪装效率, 结合伪装效率及实际使用的考虑, 认为相变层厚度为1.5 mm时最佳, 且在春夏秋配合选用发射率值为0.5、0.3和0.4时可得最高白天伪装效率, 选用发射率为0.9、0.8和0.9时可得最高的晚上伪装效率和全天伪装效率。

随着高功率半导体激光器(HPLD)在极端环境中的应用越来越广泛, 互连界面的可靠性已成为制约其性能和寿命的关键瓶颈之一。文中利用有限元方法(FEM)对传导冷却(CS)高功率半导体激光器巴条互连界面在-55～125 ℃热冲击条件下的失效行为和寿命进行了模拟与分析。基于粘塑性Anand本构模型和Darveaux能量积累理论, 对比了热冲击后界面层边缘及中心位置铟互连界面的可靠性, 发现互连界面边缘的应力最大, 达到0.042 5 GPa; 相应的边缘位置的寿命最短, 只有3 006个周期, 即边缘位置为互连界面的“最危险单元”。预测了采用铟、金锡合金和纳米银焊膏封装的半导体激光器巴条的寿命, 计算出铟、金锡合金和纳米银焊膏三种不同键合材料在边缘位置的寿命分别为3 006、4 808和4 911次循环, 表明纳米银焊膏和金锡合金在热冲击条件下具有更长的寿命, 更适合于用于极端环境的高功率半导体激光器封装。

道路是城市中典型的人造地物。 利用高分辨率影像进行城市道路提取, 对城市规划、 交通发展具有重要意义。 由于地物光谱的混淆性和异质性, 利用传统基于光谱的分类方法很难将道路与其他城市地物区分开。 针对这一问题, 提出了一种利用道路边缘结构信息进行分类的方法, 边缘作为光谱衍生信息对线性地物(如, 道路等)识别具有明显的意义。 首先, 根据全色光谱波段纹理信息, 利用改进的自适应Mean Shift算法进行边缘检测, 最大限度减少噪声与伪边缘; 然后, 对边缘图像中的线段进行编组, 利用统计模型依次对边缘线段求取统计特征, 并将该统计特征与多光谱特征结合作为总分类特征; 最后, 利用监督学习方法对城市道路样本进行学习并对整个实验区域进行分类。 结果表明将光谱信息与边缘统计特征融合对道路的识别精度为93%, 相比传统方法78%的精度有显著的提高, 因此, 该方法是一种有效、 可行的高分辨率遥感图像城市道路提取方法。