采用改进化学汽相沉积(MCVD)与溶液掺杂结合的方法探讨了掺铋石英光纤预制棒的制备工艺,研制了具有红外宽带发光特性的掺铋SiO2-Al2O3-GeO2光纤。研究了不同掺锗浓度与氧气浓度条件下制备的预制棒的光谱特性。掺铋预制棒切片在532 nm和808 nm光激发下，产生中心波长为1146 nm,半峰全宽为204 nm与中心波长为1281 nm,半峰全宽为250 nm的近红外发光。拉制的光纤在808 nm光激发下,产生了中心波长为1265 nm,半峰全宽为280 nm的近红外发光；在976 nm光激发下，观察到光纤产生中心波长为1125 nm，半峰全宽为460 nm的超宽带近红外发光。光纤与预制棒的发光存在明显差异。通过控制预制棒制备工艺可以使铋掺杂光纤的发光满足实用的需要。

采用改进化学汽相沉积结合溶液掺杂法制备了掺镱石英光纤预制棒，并研究了不同镱掺杂浓度下的吸收光谱和发光光谱.吸收光谱和发光光谱的强度随着YbCl3溶液浓度的增大而增强.在不产生失透的前提下，得到预制棒芯层能够掺杂的YbCl3溶液最大浓度为0.057 mol/L.

偏振模色散(PMD)在40 Gb/s 或更高速率的光纤通信系统中已成为限制系统性能的主要因素。为使PMD 补偿经济、控制方便,具有一定的工程实用价值,提出了一套采用两级固定时延补偿结构的PMD 部分补偿方案,设计并制作了PMD 补偿器,在实际传输线路中进行了测试。测试结果与光通信系统设计软件Optiwave Optisystem模拟补偿效果进行了对比,优化了补偿器的各项参数。在对实际敷设的四组长约60 km 的光纤链路的补偿试验中所得结果与计算结果符合较好,实现了15~20%的补偿量。

介绍了一种新颖的非零色散位移光纤结构设计方法及其MCVD+OVD制造工艺,所制备的光纤有效面积达到71 μm2以上。采用关键结构区域精确微扰方法,改进了光纤的色散特性,1550 nm处色散斜率由0.0715 ps/(nm2·km),分别减小至0.0605 ps/(nm2·km),0.0466 ps/(nm2·km),零色散波长由1500 nm附近移至1450 nm以下。测量表明,所得光纤具有优越的光学传输特性、抗弯曲性能和熔接性能,适用于C+L和S+C+L工作波长的大容量高速率长距离密集波分复用系统。光纤关键结构区域精确微扰是改进光纤性能的一种有效方法,该方法不限于MCVD工艺和非零色散位移光纤,对新型光纤的设计和生产具有积极的指导意义。

G.657光纤具有优异的弯曲损耗不敏感性能, 被认为是诸如光纤到户(FTTH)等局域网和接入网系统的首选产品, 因此, 该光纤的研究倍受重视。提出了一种采用全合成工艺制造G.657光纤的方法, 详细探讨了芯层和第一包层区的厚度(a、b)及其折射率差(Δ1、Δ2)与光纤性能之间的关系。研究表明, 当a的取值在3.5～4.0 μm之间, b的取值在0.5～1.9 μm之间, Δ1的取值在0.0034～0.0045之间, Δ2的取值在-0.0006～0之间时, 可制得满足ITU.T G.657.A标准的光纤; 当a的取值在2.8～3.2 μm 之间, b的取值在0.8～2.1 μm之间, Δ1的取值在0.0058～0.0072之间, Δ2的取值在-0.0016～-0.0008之间, 可制得满足ITU.T G.657.B标准的光纤。且该光纤在结构上相对简单, 无特殊设计的沟、槽、孔, 因此制作工艺相对容易、稳定, 易于推广和应用。

将"双向迭代"、牛顿二次差商以及直接微分等分析手段有效地结合起来,形成一种被称为"微分迭代"的波导方程解析方法.该方法可根据任意光纤的剖面结构在计算机上精确模拟出光纤的能量场分布、波导色散、零色散波长和截止波长等参量.该解析法分别被用于三包层G.655光纤和五包层G.656光纤的波导分析,分析结果和实测值具有极好的一致性.

采用全合成预制棒制造法(VAD+OVD)和改进的G.652.D光纤拉制法制造光纤.研究了工艺中光纤芯径的大小、第一包层的厚度、芯包折射率差、芯包比等参量与光纤弯曲性能的关系,并据此制作了几种超细低水峰抗弯损光纤.该光纤的裸光纤直径约80 μm,涂覆后成品光纤直径约140 μm,当弯曲半径不小于7.5 mm时,能够在1 260～1 625 nm整个波段内满足DWMD的传输要求.