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同名作者【徐守宇】论文列表

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器件物理及器件制备技术

改善4-Mask工艺Al腐蚀的方法

张光明 ^*刘杰徐守宇郑云友 [ ... ]李正勳

作者单位

摘要

北京京东方显示技术有限公司, 北京 100176

为了减少制造工艺的流程, 改进的 4-Mask工艺被广泛应用。但这个工艺仍存在一些问题, 如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9 h), 则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀。除了缩短上述间隔时间的方法外, 本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法, 很好地阻止了对Al的腐蚀, 对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。

有源层腐蚀 active layer corrosion

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液晶与显示

2013, 28(2): 224