为了减少制造工艺的流程, 改进的 4-Mask工艺被广泛应用。但这个工艺仍存在一些问题, 如果有源层刻蚀和第二次源漏数据线刻蚀之间间隔时间较长(≥5.9 h), 则有源层刻蚀所用气体Cl2形成的活化分子会对沟道内Al造成腐蚀。除了缩短上述间隔时间的方法外, 本文应用有源层刻蚀后处理加入SF6/O2的方法, 很好地阻止了对Al的腐蚀, 对改进后4-Mask工艺的进一步应用具有非常重要的意义。
有源层 腐蚀 active layer corrosion
通过改变压力、O2和SF6的流量研究干法刻蚀增强型阴极等离子耦合模式下对PR胶灰化速率、均匀性、H/V比值的影响。研究结果表明：在一定范围内随着压力的不断增大，PR的刻蚀速率逐渐增大，同时刻蚀的均匀性也逐渐变好，H/V逐渐变大；增加单组分SF6流量时刻蚀率和H/V比值均先增大后减小，而刻蚀均匀度数值有先减小后增大的趋势；增加单组分O2流量时PR灰化速率变化不明显，但刻蚀的均匀性逐渐变好，H/V比值先增大后减小；当O2和SF6的流量比例不变时，同时增加O2和SF6流量，PR灰化速率会先增加后减小，均匀性数值和H/V比值先减小后增大。
干法刻蚀 增强型阴极等离子耦合 PR灰化速率 dry etch enhanced capacitive coupled plasma PR ashing rate
采用统计实验方法研究了利用SF6+Cl2混合气体产生的等离子体进行Si和SiNx的反应离子刻蚀技术.在相同的输出功率和压力的条件下,将si和SiNx的刻蚀速率和选择比表示为SF6百分比含量的函数.文中讨论了SF6含量的变化对刻蚀速率、选择比和坡度角的影响及刻蚀机理,证实了即使是SF6含量的少量改变也会对si和SiNx的刻蚀速率、选择比和坡度角有重要的影响.并通过光谱分析来深层次地讨刻蚀速率受SF6含量影响的原因.
等离子刻蚀 刻蚀速率 选择比
以O2+SF6为刻蚀气体,在一定压力下使用RIE刻蚀机刻蚀光刻胶.通过改变功率、O2流量和SF6流量,研究以上因素的改变对光刻胶灰化速率的影响.实验结果表明:单组分O2存在下,O2流量的增加不会影响光刻胶的灰化速率.设备Plasma功率以及气体比率变化对灰化率有显著影响,并通过光谱分析对光刻胶的灰化反应机理进行了初步研究.
离子刻蚀 干法刻蚀 灰化速率 光谱
