采用55 nm标准CMOS工艺，设计并流片实现了一种应用于Wi-Fi 6(5 GHz)频段的宽带全集成CMOS低噪声放大器(LNA)芯片，包括源极退化共源共栅放大器、负载Balun及增益切换单元。在该设计中，所有电感均为片上实现；采用Balun负载，实现信号的单端转差分输出；具备高低增益模式，以满足输入信号动态范围要求。测试结果表明，在高增益模式下该放大器的最大电压增益为20.2 dB，最小噪声系数为2.2 dB；在低增益模式下该放大器的最大电压增益为15 dB，最大输入1 dB压缩点为-3.2 dBm。芯片核心面积为0.28 mm2，静态功耗为10.2 mW。

基于液体材料填充的微结构光纤光子器件有效地将功能材料在不同外界物理场作用下的物理效应同光纤自身的微纳结构结合起来，具有可调谐、设计灵活、全光纤结构和易于集成等优点，是未来光纤光子器件发展的重要方向。掌握不同填充材料、填充方法及所制作器件的不同特性、功能和应用对这一领域的研究具有重要的指导意义。综合阐述了近年来基于液体材料填充的微结构光纤光子器件的研究进展，分析和归纳了各种液态功能材料的种类、物理特性及填充方法，系统阐述了基于该种方法实现的光开关及衰减器、滤波器、调制器、色散补偿器等可调谐光纤光子器件及光纤传感器件，最后对该领域未来的发展方向和前景进行了展望，为未来新型光纤光子器件的研制提供必要的依据和参考。

采用共沉淀(co-precipitation)法制备了Mg掺杂ZnO纳米晶, 分别用X射线衍射(XRD)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、紫外可见吸收(UV-Vis)光谱、光致发光(PL)光谱、透射电镜(TEM)、电子顺磁共振(EPR)等分析手段对样品进行了表征。探究了Mg离子在ZnO纳米晶中的存在状态, ZnO纳米晶颗粒尺寸和发射光谱随Mg掺杂浓度的变化, 并对其发光机理进行了分析。结果表明:Mg离子在ZnO晶格中以部分晶格位, 部分间隙位的方式存在,没有形成MgO表面壳层结构; 随Mg掺杂浓度的增大, ZnO纳米晶的颗粒尺寸变小, 发射光的光强增大。发射光的最佳激发波长为342 nm, 中心波长为500 nm, 荧光量子产率为22.8%。实验分析表明：Mg离子的掺杂在ZnO纳米晶中引入了锌空位(VZn), 间隙位的镁离子(IMg), 提供了新的复合中心, 从而增强了ZnO纳米晶的光致发光。