陕西科技大学文理学院，半导体材料与器件研究中心，西安 710021
研究了Er2O3掺杂对ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3-SiO2压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。Er2O3掺杂后，部分Er固溶于富Bi相中，对ZnO压敏陶瓷的晶界特性和电学性能产生了较大影响。随着Er2O3掺杂量从0.09% (质量分数)增大到0.35%，样品晶界电阻率不断减小，漏电流密度不断增大，双Schottky晶界势垒高度和非线性系数先增大后减小，击穿场强不断增大；当Er2O3掺杂量为0.27%时，所得ZnO压敏陶瓷非线性系数达到54.4±1.5，击穿场强为(470.1±2.8) V·mm-1，漏电流密度为(1.9±0.1) μA·cm-2，损耗角正切tanδ始终小于0.03，样品综合电学性能最优，性能参数标准偏差均较小，说明样品具有较好的制备可重复性，为Er2O3掺杂高性能ZnO压敏陶瓷的制备提供了借鉴。
陕西科技大学文理学院, 陕西科技大学半导体材料与器件研究中心, 西安 710021
采用固相烧结法制备 ZnO-Pr6O11-Co2O3-Cr2O3-Er2O3-SiO2压敏陶瓷, 研究了 SiO2掺杂对 ZnO压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响。结果表明: SiO2具有抑制晶粒生长的作用, 随着 SiO2掺杂量增加, 晶粒尺寸逐渐减小；SiO2掺杂量为 1.0%(摩尔分数)时, ZnO压敏陶瓷的性能昀好, 生成的第二相物质昀多, 击穿场强、平均晶界电压、非线性系数、晶界电阻率和晶界势垒高度均为昀大, 其值分别为 435.5 V/mm, 1.63 V, 17.5, 17 400 M..cm和 0.37 eV, 漏电流昀小为 1 μA；与未掺杂 SiO2的 ZnO压敏陶瓷相比, 击穿场强和非线性系数分别提高了 3.6倍和 6.6倍。
氧化锌压敏陶瓷 二氧化硅掺杂 微观结构 压敏性能 阻抗性能 zinc oxide varistor silicon oxide doping microstructure varistor property impedance characteristic
陕西科技大学半导体材料与器件中心，西安 710021
在ZnO-Bi2O3-MnO2-Cr2O3基础上掺杂不同含量的SiO2，采用传统固相烧结法制备ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射仪、扫描电子显微镜研究了ZnO压敏陶瓷的物相组成和微观结构。利用数字源表、电感电容电阻测试仪测试并分析其电学性能。利用电容-电压特性法测试其晶界参数。结果表明：在频率10 kHz附近时，由于极化跟不上外电场变化，相对介电常数急速下降，同时产生相应的损耗峰。随着SiO2掺杂量的增加，损耗角正切(tanδ)先降低后升高，在掺杂量为0时最高，1.0%(摩尔分数)时最低，SiO2的掺杂明显降低了在105 Hz附近的tanδ值。非线性系数(α)随着SiO2掺杂量的增加先增加后减小，在SiO2掺杂量为1.0%时，样品α值达到43.36，晶界势垒高度φb在10 kHz时为1.98 eV，施主浓度低至2.97×1024 m-3，同时漏电流IL为0.31 μA/cm2。
二氧化硅 氧化锌 压敏陶瓷 晶界势垒 非线性系数 电容-电压特性法 silicon dioxide zinc oxide varistor ceramics Schottky barrier nonlinear coefficient capacitance-voltage characteristic method
陕西科技大学，半导体材料与器件研究中心，西安 710021
研究了升温速率对ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3-SiO2压敏陶瓷微观结构和电学性能的影响。当升温速率从3 ℃/min降低到1.5 ℃/min时，ZnO晶粒快速长大导致样品结构均匀性变差。当升温速率从3 ℃/min升高到10 ℃/min时，缺陷扩散变弱导致双Schottky势垒形成受阻。升温速率为3 ℃/min时，样品的非线性系数为最大值43.4，漏电流为最小值1.0 μA/cm2，击穿场强为448 V/mm，三者的标准偏差达到最小，样品稳定性最好，200 Hz~2 MHz电场作用下损耗角正切tanδ小于0.03，综合电学性能最优。同时，晶界处带负电的富Bi相Bi3.73Sb0.27O6.0+x的存在对ZnO压敏陶瓷的电学性能有重要影响。
氧化锌 压敏陶瓷 升温速率 稳定性 zinc oxide varistor heating rate stability
1 军械工程学院, 石家庄050000
2 军械技术研究所, 石家庄050000
为了解目前网络设备的测试方法和研究重点, 提高指挥控制系统网络设备的保障能力, 在总结目前网络设备中交换机和路由器的测试模式、测试标准与规范、测试技术性能指标与方法及研究现状的基础上, 指出了网络设备测试技术的发展方向。对于研究网络设备的测试技术、测试方法具有重要的指导意义。
指挥控制系统 网络设备 测试技术 测试方法 command and control system network device test technology test method
1 北京科技大学材料科学与工程学院无机非金属材料系, 北京 100083
2 北京航空制造工程研究所高能束流加工技术国防科技重点实验室, 北京 100024
研究了皮秒脉冲激光以旋切法在Ni3Al基定向凝固高温合金上加工的微孔，并采用扫描电子显微镜和电子能谱仪观察了微孔的加工质量及激光诱导的缺陷区。实验结果显示，在孔周围没有出现飞溅物和微裂纹等传统缺陷，在孔壁上发现了少量的熔渣和一层厚度在微米量级的氧化物再铸层，而再铸层中含有氧元素是由脉冲激光旋切加工过程中同轴吹高压氧气所致，在紧邻再铸层的部分区域出现了由热影响所产生的相变区。由于使用的激光束，其能量符合高斯分布，从而依据加工面温度分布和激光束能量分布的对应关系，对加工区再铸层厚度进行了理论计算，获得的数值与观测到的再铸层实际厚度趋于一致。
激光技术 皮秒 激光打孔 再铸层 光学学报
2013, 33(s1): s114018
中国工程物理研究院 流体物理研究所,四川 绵阳 621900
设计了Z箍缩实验装置中单路模块样机的低阻抗水介质三平板结构的传输线。根据三平板传输线的结构参数及相关计算公式,得到所设计的三平板传输线实际阻抗为4.08 Ω(设计阻抗为4.00 Ω)。在考虑传输线内板边缘与水箱耦合电容影响的条件下,采用有限元方法精确计算得到三平板传输线阻抗为3.77 Ω。根据实验得到的传输线入口、出口电压电流测量结果,计算得到三平板传输线的实际运行阻抗为3.83 Ω,与计算结果基本一致。另外,还对三平板传输线进行了静电场计算和分析,耐压实验表明,当三平板传输线出口电压达到3.1 MV时,未出现绝缘闪络,绝缘设计满足指标要求。
Z箍缩 PTS装置 三平板传输线 特性阻抗 耦合电容 Z-Pinch PTS triplate transmission line characteristic impedance coupling capacitance
1 北京航空制造工程研究所,北京,100024
2 北京科技大学无机非金属材料系,北京,100083
利用激光熔覆成形技术制备出平整无变形的镍基合金样品,对显微组织中的层生长模式、晶粒生长模式,重熔情况以及一些缺陷等凝固组织的特征进行了详细分析.结果表明层的形状主要取决于激光功率和粉末熔化状况,显微组织以细长的柱状晶为主.为使层与层之间具有良好的冶金结合,每层的重熔区域必须保持一定的厚度.激光功率过低时组织中易形成气孔,而成形件的卷曲现象可以通过预热等方法加以解决.
激光熔覆成形 镍基合金 凝固 显微组织
