利用DC磁控溅射法在p-Si(111)衬底上制备了TiNx薄膜.利用X射线能谱仪(EDX)、X射线衍射(XRD)、紫外/可见分光光度计、四探针电阻率测试仪等分析了薄膜的组分、结构和光电特性.结果表明，薄膜中N /Ti原子比接近于1；衬底温度对薄膜的择优取向影响显著，240℃附近是TiNx薄膜结晶择优取向由(111)向(200)转变的临界点；薄膜在近红外波段平均反射率随衬底温度的升高，先增大后减小；薄膜的电阻率随着衬底温度的升高而显著降低.
氮化钛薄膜 磁控溅射 反射率 电阻率 TiN thin films magnetron sputtering reflectance resistivity
