南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室, 江苏 南京 210093
纳米压印技术（NIL）是一种机械制备纳米图形的微加工技术，它具有设备简单、易于操作、重复性好和成本低等优点。同时，它可以大面积制备高分辨率的纳米图形，使得大批量低成本地生产微纳器件成为可能。而固态照明工程目前是被全世界所关注的重要领域，制备出高效III-V化合物半导体发光二极管（LED）来代替现有的传统照明工具已经掀起了照明技术的革命，以实现高质量、绿色的照明。重点介绍了纳米压印技术的发展和工艺过程，并详细论述纳米压印技术在无机和有机LED制备中的应用，实现纳米结构LED以及表面光子晶体结构，从而提高LED的发光效率。
光学制造 纳米压印技术 发光二极管 纳米结构 外量子效率 光子晶体 激光与光电子学进展
2013, 50(2): 020002
南京大学电子科学与工程学院江苏省光电信息功能材料重点实验室， 江苏 南京 210093
研究了不同的快速退火(RTA)温度对Mg掺杂的InN材料的影响。根据马赛克微晶模型，利用X射线衍射(XRD)技术，对样品的对称面和非对称面做ω扫描，并且通过倒异空间图(RSM)扫描，拟合得到了刃位错与螺位错密度，并且根据在不同快速退火温度条件下位错密度的比较，同时结合迁移率的测量结果，发现快速退火温度采用400 ℃能有效地提高晶体的质量。原因在于快速退火能有效地激活Mg原子活性，降低材料中的载流子浓度，同时快速退火采用的氮气气氛能补偿部分起施主作用的氮空位，降低材料中载流子浓度的同时也降低了缺陷。同时，(002)面的摇摆曲线半峰全宽(FWHM)也很好地验证了所得结果。
薄膜 快速退火 X射线衍射 氮化铟 掺杂 位错
