浙江工业大学 激光与光电子技术研究所,杭州 310023
制备了一种以紫外(UV)固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤.通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱，得到了荧光峰值强度与量子点掺杂光纤浓度和长度的关系，确定了UV胶纤芯本底下的量子点的吸收系数、合适的掺杂浓度和光纤长度.结果表明：UV胶在光纤中具有吸收小、收缩率低、与石英光纤包层折射率匹配、性能稳定等特点，是一种比较理想的实验室制备量子点光纤纤芯本底的材料.
CdSe/ZnS量子点 UV胶 量子点掺杂光纤 光致荧光光谱 CdSe/ZnS quantum dot UV curable adhesive Quantum-dot doped fiber Photoluminescence spectrum
浙江工业大学激光与光电子技术研究所， 浙江 杭州 310023
制备了一种CdSe/ZnS量子点掺杂光纤，测量了不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱，得到了荧光峰值波长的红移随量子点光纤掺杂浓度和光纤长度的变化。观测对比了4种不同纤芯本底材料（UV胶、甲苯、正己烷和正癸烷）随光纤长度增加的红移，发现在不同的本底材料中，红移随光纤长度的增加的速率不同。在不同本底材料和不同的掺杂浓度下，最大红移均趋向于20 nm的同一饱和值，该饱和值取决于量子点第一吸收峰的半峰全宽。
光纤通信 CdSe/ZnS量子点 量子点掺杂光纤 光致荧光 红移 掺杂浓度
