抚顺煤精属于褐煤变种, 煤化程度低, 其主要构成部分是植物体的有机残体, 其显微组分主要包括凝胶体、 团块腐植体、 木质结构体、 树脂体和纤维素。 东坑料、 腰坑料和西坑料煤精品质依次降低, 其密度却依次增大, 分别为1.193、 1.196和1.289 g·cm-3, 而包含的树脂体含量依次减少, 占比分别为30%、 25%和10%。 在荧光显微镜下观察抚顺煤精, 结果发现抚顺煤精中可以产生荧光的组分有树脂体和木质结构体, 其中树脂体存在两种不同的类型, 分别是α-树脂体和β-树脂体, 而木质结构体的含量较少。 α-树脂体形状多呈纺锤形, 表面不平整, 轮廓不平滑； β-树脂体表面均一, 形状多呈圆形、 椭圆形或纺锤形, 轮廓较为清晰。 总体而言, α-树脂体的含量要低于β-树脂体, 且尺寸更小, 其荧光强度明显高于β-树脂体。 东坑料煤精的α-树脂体含量约10%, β-树脂体的含量约20%； 腰坑料煤精的α-树脂体含量约5%, β-树脂体的含量约20%； 西坑料煤精的α-树脂体含量约3%, β-树脂体的含量约7%。 对抚顺煤精中两种不同类型的树脂体进行光致发光光谱测试, 结果发现: α-树脂体和β-树脂体的光致发光光谱的谱峰均呈多峰, 且谱峰位置较为相近, 分别在411~412、 524~528、 551~553、 583、 600和625 nm处, 仅在强度上体现了较大的差别。 α-树脂体的λmax在525 nm附近, FWHM约120 nm, Q值的范围在0.459~0.899, 氧化程度相对较低； β-树脂体的λmax在553 nm附近, FWHM约180 nm, Q值的范围在0.919~1.30, 氧化程度相对较高。 与抚顺琥珀的荧光谱图进行对比, 抚顺琥珀的最大荧光波长λmax在434 nm附近, 比煤精中两种树脂体的λmax都要小, 而与树脂体在432 nm处的弱荧光峰位置较为接近。 实验表明抚顺煤精中树脂体的氧化程度高于琥珀, 因此在形成顺序上, 煤精先于琥珀。

采用光学浮区法制备了不同Cr3+掺杂浓度的Cr∶Al2O3晶体，并根据需要制备了不同直径(2 mm至13 mm)的长度大于100 mm的圆柱状Cr∶Al2O3晶体。测量了在制备Cr∶Al2O3晶体不同阶段所获得的粉末料棒、陶瓷料棒和晶体的密度，分别为0.928、2.230和4.051 g/cm3。XRD图谱显示，Cr∶Al2O3晶体为α-Al2O3相。透射光谱表明，Cr∶Al2O3晶体可见光非特征吸收波段透过率大于80%。吸收光谱和光致激发光谱(监测669 nm 光)均显示，Cr∶Al2O3晶体在418及559 nm处有较强吸收带，分别对应Cr3+从4A2至4T1和从4A2至4T2的跃迁。以波长为559 nm的光激发Cr∶Al2O3晶体，其光致发射谱在669 nm处出现较强的发射峰；当Cr3+浓度较低时，发射峰强度随 Cr3+浓度的增加而增强，Cr0.006 0Al1.994 0O3的发射强度达到最大，然后随 Cr3+浓度增加而降低。

碲镉汞材料的电学、光学性能直接影响红外探测器的性能，掺杂是一种有效提高材料性能的手段，因此碲镉汞材料的相关掺杂研究至关重要。利用步进式扫描傅里叶红外调制光致发光(Fourier Transform Infrared Modulated Photoluminescence, FTIR-PL)测试仪对不同退火条件下的掺In碲镉汞材料进行了变温测试，降低了实验过程中的信噪比，获得了较好的光谱图。在此基础上结合霍尔测试结果，分析了由温度变化导致的能级位置变化以及不同退火条件处理后碲镉汞材料的发光峰强度和位置的变化。

室温下, InPBi表现出强而宽的光致发光光谱, 其宽光谱特性来自于材料中的PIn反位深能级和与Bi相关的深能级。该特性使得InPBi有希望应用于制备光学相干层析扫描系统中的超辐射光源。文章利用透射电子显微镜和三维原子探针研究了InPBi薄膜材料的结构性能, 发现Bi原子在InPBi薄膜中的分布极不均匀, 在InPBi/InP界面出现了Bi的富集区, 从该区域沿［001］方向出现了Bi的纳米面, 此纳米面位于(110)平面上。这种Bi原子的富集分布阻碍了PIn反位参与的载流子复合过程, 对InPBi的光学性能有显著的影响。研究结果可为制造光学相干层析扫描系统的超辐射发光二极管提供一定的理论基础。

用冷等静压制多晶料棒通过高温固相法制备Gd2SiO5∶Eu3+粉末，并使用光学浮区法制得晶体。对其进行微观组织结构及光谱性能测试，XRD分析表明，晶体生长方向为［001］方向; 摇摆曲线和Raman分析均表明其结晶状况比粉末、料棒更好; 晶体无宏观和微观缺陷; EDS及XPS分析表明晶体中无杂质成分，且XPS谱中可以观测到Gd3d5/2、Eu4d5/2光电子峰劈裂，分别对应7配位和9配位离子。UV-Vis低温吸收谱中存在Eu3+-O2-电荷转移吸收带和Gd3+4f-4f电子跃迁吸收(6D/I/PJ→8S7/2)吸收限，做(Ahν)1/2-hν曲线得到其禁带宽度为5.9 eV; 样品在紫外激发下呈橘红色，并在254 nm、277 nm、365 nm、396 nm激发下可产生发射峰为583 nm、596 nm、620 nm、629 nm的红光发射(对应Eu3+的5D0→7F0,1,2,3)，其中277 nm激发下强度最大; 以583 nm、596 nm、620 nm、629 nm为监测波长，其激发谱在200~500 nm波段，并出现以277 nm为中心的宽谱(对应Eu-O电荷转移跃迁和Gd3+ 8S7/2→6IJ)以及313 nm (Gd3+8S7/2→6PJ)、396 nm(Eu3+ 7F0→5L6)和466 nm (Eu3+的7F0→5D3)激发锐峰。由此可知，光学浮区法可以得到质量良好的Gd2SiO5∶Eu3+晶体。

以溴化铅、溴化铯为原料, 通过化学气相沉积法(CVD)在Si/SiO2衬底上制备得到全无机钙钛矿CsPbBr3微米棒。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对CsPbBr3微米棒的晶体结构、形貌和组分进行表征, 并通过光致发光光谱(PL)对样品的荧光偏振特性进行了测试。测试分析表明, 制备的CsPbBr3微米棒具有三角形截面, 长度为15~25μm可控, 形貌规则, 结晶质量高, 沿[001]方向结晶生长, 室温下为立方相晶体结构; 微米棒样品展现出良好的偏振依赖荧光发射, PL光谱呈现出180°偏振周期性变化, 发射荧光偏振度为0.30, 光电场限域效应是产生偏振荧光的主要机制。

采用紫外-可见-近红外分光光度计和稳态/瞬态荧光光谱仪,分别测量了离散在水溶液中的CdS_xSe_1-x/ZnS量子点的吸收-辐射荧光谱以及及荧光强度随时间的变化,得到了荧光寿命随粒径、x和温度的变化。荧光寿命主要取决于量子点带间的直接跃迁,缺陷态间接跃迁的影响为次。得到了荧光峰值波长和荧光寿命随粒径、x变化的经验公式。结果表明:荧光寿命随粒径增大而增大,随S组分增加而减小,且对温度的变化不敏感;当量子点粒径为4.06~9.22 nm、x为9.45~0.366、温度为15~55 ℃时,荧光寿命为2.51~3.22 μs。

采用简化的种子层制备工艺在ITO基底上制备了ZnO种子层，并使用化学溶液沉积法制备了高度取向的ZnO纳米棒阵列。采用XRD和SEM对ZnO纳米棒的结构和形貌进行表征，并对样品的光学性能进行了测试。测试结果表明，所制备的ZnO纳米棒为c轴择优取向的六角纤锌矿结构，直径为66~122nm可控，且排列紧密，形貌规整。光学性能测试结果表明，吸收光谱在375nm附近表现出强烈的紫外吸收边是由于禁带边吸收引起的；反射光谱具有一定的周期振荡性，可用于薄膜厚度的估算；光致发光谱在378nm附近有很强的紫外发射峰；增大生长液浓度和高温退火可降低缺陷发光，改善结晶质量。

在用步进扫描傅里叶变换红外(Fourier Transform Infrared, FTIR)调制光致发光(Photoluminescence, PL)光谱仪进行测试时, 基于FTIR的优势, 并结合PL无损、灵敏度高、简单的优点, 通过减弱背景干扰来提高信号强度。研究了背景噪声、杂质能级和温度对InAs/GaSb应变超晶格材料的发射峰强度及位置的影响, 并通过改变测试参数, 总结出了针对不同材料的测试方法。这项研究结果对InAs/GaSb应变超晶格材料的外延生长及后续加工具有参考价值。