采用紫外-可见-近红外分光光度计和稳态/瞬态荧光光谱仪,分别测量了离散在水溶液中的CdS_xSe_1-x/ZnS量子点的吸收-辐射荧光谱以及及荧光强度随时间的变化,得到了荧光寿命随粒径、x和温度的变化。荧光寿命主要取决于量子点带间的直接跃迁,缺陷态间接跃迁的影响为次。得到了荧光峰值波长和荧光寿命随粒径、x变化的经验公式。结果表明:荧光寿命随粒径增大而增大,随S组分增加而减小,且对温度的变化不敏感;当量子点粒径为4.06~9.22 nm、x为9.45~0.366、温度为15~55 ℃时,荧光寿命为2.51~3.22 μs。

测量了不同组份比例x的CdSxSe1-x/ZnS（核/壳）量子点的吸收谱和发射谱，确定了量子点的吸收系数、吸收截面和发射截面.量子点吸收截面随粒径的增大而增大、随x的增大而减小.采用紫外固化胶，制备了掺杂浓度为0.1~5 mg/mL的CdS0.4Se0.6 /ZnS量子点光纤，测量了不同掺杂浓度量子点光纤中473 nm泵浦功率的吸收衰减速率.吸收衰减速率和吸收截面弱关联于掺杂浓度.测量了光致荧光光谱强度随光纤长度和量子点浓度的变化.量子点光纤的光致荧光峰值强度随掺杂浓度和光纤长度变化而变化，且存在一个与最大峰值强度对应的饱和掺杂浓度和光纤长度.本文的实验结果有助于进一步构建新型的CdSxSe1-x/ZnS量子点增益型光电子器件.

对钠硼铝硅酸盐玻璃熔体进行拉丝，再经过退火热处理，制备得到光纤直径80~130 μm的PbSe量子点玻璃裸光纤.透射电镜分析发现光纤中PbSe量子点的晶粒尺寸为4.2~5.5 nm，掺杂体积比约1%.对量子点光纤的柔性进行了初步测试.以980 nm泵浦激光作为激励源，用荧光光谱仪观测了量子点光纤的荧光发射谱.结果表明: 合适的量子点光纤的退火条件跟块玻璃不同.当退火温度为500~600℃、热处理时间为5~10 h时，观测到量子点光纤有强烈的荧光辐射，峰值波长位于1 300~1 450 nm，半高全宽达200~330 nm.光纤最佳退火温度为600℃、时间7.5 h.本文得到的量子点玻璃光纤可进一步制备成玻璃基底的量子点光纤型增益器件光纤放大器、光纤激光器等.

量子点光纤正逐渐成为光通信领域的研究热点。首先介绍了CdSe/ZnS量子点掺杂光纤的发展历史，随后给出两种不同纤芯基底材料的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤的制备方法，并对它们的光谱特性及发射峰值增益进行了分析比较，最后分析得出适合CdSe/ZnS量子点掺杂光纤的纤芯基底材料。CdSe/ZnS量子点掺杂光纤基底材料的研究对其他量子点光纤的研制具有一定的借鉴作用。

制备了一种以紫外(UV)固化胶为纤芯本底的CdSe/ZnS量子点掺杂光纤.通过测量不同掺杂浓度和光纤长度下的量子点光致荧光光谱，得到了荧光峰值强度与量子点掺杂光纤浓度和长度的关系，确定了UV胶纤芯本底下的量子点的吸收系数、合适的掺杂浓度和光纤长度.结果表明：UV胶在光纤中具有吸收小、收缩率低、与石英光纤包层折射率匹配、性能稳定等特点，是一种比较理想的实验室制备量子点光纤纤芯本底的材料.

制备了一种半导体量子点CdSe/ZnS低浓度掺杂的光纤,测量了不同掺杂浓度和不同光纤长度下光纤出射端的光致荧光光谱,分析了掺杂光纤长度和浓度对量子点光纤荧光光谱特性的影响.结果表明,与掺入光纤前相比,光纤中的量子点荧光发射峰值波长出现红移.在掺杂光纤长度为1~20 cm和掺杂浓度为(0.33~2.5)×10－2mg/mL的实验范围内,红移量随着掺杂光纤长度的增加和掺杂浓度的提高而增大.对给定的激励功率,荧光发射峰值强度对应有一个最佳的量子点光纤长度.对于给定的量子点光纤长度,荧光发射峰值强度对应有一个最佳的量子点掺杂浓度.

制备了一种较高浓度掺杂的CdSe/ZnS 量子点掺杂光纤。测量了不同掺杂浓度和不同光纤长度下的量子点光纤光致荧光光谱,得到了荧光峰值增益最大时的量子点掺杂浓度和光纤长度。与低浓度掺杂光纤相比,较高掺杂浓度光纤中的荧光峰值光强明显提高。荧光峰值光强随光纤长度的变化在短距离内(L<1 cm)急剧上升,之后缓慢均匀下降。波长473 nm激励光强随光纤长度的变化呈指数形式衰减,消光系数为0.26-1.02 cm-1。在给定激励光强和激励波长的条件下,光纤中可达到最大荧光辐射的量子点总数为一恒量。光纤中的荧光峰值波长存在红移,红移大小约8-15 nm,红移量与掺杂浓度以及光纤长度有关。这些实验结果可为今后量子点光纤放大器的研制提供参考。