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研究了一种长期THO信赖性过程中产生的四角发黑Mura。由于该Mura在TFT膜面可见, 本文重点模拟分析了TFT侧在信赖性过程中电容的变化, 确定了不良是存储电容(Cst)变化引发的电学不良, 其机理为水汽不断进入第二绝缘层(PVX2), Cst持续增大, 进而造成了TFT-LCD像素充电电压和灰阶的降低。通过降低沉积压强和提高Si/N比, PVX2膜层致密性和阻水性加强, 模拟信赖性测试中电容的变化由19.6%降至0.5%, 成功解决了该不良, 避免了信赖性风险, 提升了产品品质。
信赖性 氮化硅 阻水 电容 灰阶 Mura Mura reliability SiNx water resistance capacitance grey
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从HADS 产品像素漏光现象出发, 分析了HADS 产品产生像素漏光的主要原因和机理。通过分析发现, HADS 产品像素漏光主要是因为摩擦弱区液晶配向角度异常导致的透过率差异产生的。并在此基础提供摩擦方向优化和PS形状优化以减少摩擦弱区对像素漏光的影响。为更好画面品质的HADS产品提供了改善方向。
像素漏光 摩擦弱区 液晶配向 pixel leakage rubbing weak region liquid crystal alignment
