1 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
2 中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹固态技术重点实验室, 上海 200050
设计了一种太赫兹量子阱光电探测器(THz-QWP),并利用该器件研究了多体效应。通过表征和分析器件的光电流谱,发现多体效应改变了器件的峰值响应频率,并且引起了双响应峰现象,从而验证了多体效应能加深有效势阱深度并增大基带与第一激发能级态之间的间距。因此,在THz-QWP的结构设计中,考虑多体效应具有重要意义。
探测器 太赫兹 量子阱 多体效应 光电探测器 光学学报
2017, 37(10): 1004001
中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 太赫兹固态技术重点实验室, 上海 200050
采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料，研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响，得到优化的生长条件为：生长温度为300 ℃、As压为77.3 kPa。通过Be掺杂，并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构，将材料的方块电阻提高到1.632×106 Ω/Sq，载流子数密度降低至1.058×1014 cm-3。X射线衍射结果表明：InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高，是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。
低温InGaAs 多量子阱 分子束外延 low-temperature InGaAs InGaAs/InAlAs InGaAs/InAlAs multiple quantum wells molecular beam epitaxy
浙江大学 现代光学仪器国家重点实验室,杭州 310027
针对使用线阵列电荷耦合器件(CCD)的二维位置定位系统中的光学系统的特殊要求,本文提出一种以球面镜作为前组柱面镜作为后组,前组像面作为后组物面的二级成像结构作为线阵CCD的摄像镜头。该镜头使具有相同一维坐标值的点成像为同一条直线,并且具有广角视场,畸变小,成像质量优良等性能特点。对其设计思想、像差特点进行了分析,并给出了f′=-20 mm,2ω=74°,畸变小于1.6%的柱面镜摄像镜头实例及其像差和传递函数计算曲线
位置测量 线阵CCD 摄像镜头 柱面镜 position measurement linear array CCD video lens cylindrical lens
