中国科学院 上海微系统与信息技术研究所, 太赫兹固态技术重点实验室, 上海 200050
采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料，研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响，得到优化的生长条件为：生长温度为300 ℃、As压为77.3 kPa。通过Be掺杂，并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构，将材料的方块电阻提高到1.632×106 Ω/Sq，载流子数密度降低至1.058×1014 cm-3。X射线衍射结果表明：InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高，是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。
低温InGaAs 多量子阱 分子束外延 low-temperature InGaAs InGaAs/InAlAs InGaAs/InAlAs multiple quantum wells molecular beam epitaxy
