1 长春理工大学 理学院 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123
针对光学倒锥窄尖的制备工艺困难的问题,通过特殊设计掩膜版,利用步进式光刻机,经过一次步进,对光刻胶进行两次连续的图案化处理,突破紫外光刻机的分辨率极限,制备出尖端接近50 nm的倒锥结构图案.再对光刻胶进行回流处理,解决其分层的问题,保证了结构侧壁的光滑度及尖端的完整性.在深硅刻蚀工艺中,通过对刻蚀中各气体组分进行调整,改善了锥形结构表面形貌,使结构的均匀性和完整性得到提升.最终得到了适用于层间耦合的尖端接近50 nm的光学倒锥.
光学倒锥 层间耦合 步进式光刻 光刻胶回流 刻蚀工艺 Optical inverted taper Interlayer coupling Step lithography Photoresist reflow Etching process 光子学报
2019, 48(12): 1223003
1 长春理工大学 理学院 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123
采用步进投影式光刻机的步进原理控制曝光剂量, 制备楔形模斑转换器.分析了不同曝光剂量对侧壁形貌的影响以及最佳的刻蚀参数.实验结果表明: 最佳曝光时间为20 ms/次, 回流温度为160℃, 时间为1 min, 当刻蚀气体及比例为SF6∶He=8∶80时, 刻蚀后得到满足需求的样品,且制备方式制作周期短, 精度高, 与电子束灰度曝光方法相比, 具有高效率、低成本等优点.
楔形 模斑转换器 步进式曝光 灰度 刻蚀工艺 Wedge-shaped Mode size converter Stepper exposure Gray scale Etching process