刘俊成 1,1孙天玉 2,2贾慧民 1,1,*王筱 1,1[ ... ]魏志鹏 1,1
作者单位
摘要
1 长春理工大学 理学院 高功率半导体激光国家重点实验室, 长春 130022
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123
针对光学倒锥窄尖的制备工艺困难的问题,通过特殊设计掩膜版,利用步进式光刻机,经过一次步进,对光刻胶进行两次连续的图案化处理,突破紫外光刻机的分辨率极限,制备出尖端接近50 nm的倒锥结构图案.再对光刻胶进行回流处理,解决其分层的问题,保证了结构侧壁的光滑度及尖端的完整性.在深硅刻蚀工艺中,通过对刻蚀中各气体组分进行调整,改善了锥形结构表面形貌,使结构的均匀性和完整性得到提升.最终得到了适用于层间耦合的尖端接近50 nm的光学倒锥.
光学倒锥 层间耦合 步进式光刻 光刻胶回流 刻蚀工艺 Optical inverted taper Interlayer coupling Step lithography Photoresist reflow Etching process 
光子学报
2019, 48(12): 1223003

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