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光谱学
MOCVD法生长Ca0.5In0.5P外延层的近红外光致发光与温度的依赖关系
高瑛 1赵家龙 1刘学彦 1苏锡安 1[ ... ]章其麟 3
作者单位
摘要
1 中国民航学院, 长春 130021
2 河北半导体研究所, 天津 300300
3 河北半导体研究所, 石家庄 050051
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.
近红外光致发光 深能级 金属有机物化学气相沉积 
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光学学报
1992, 12(10): 897
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