1 中国科学院长春物理研究所激发态物理开放实验室, 长春130021
2 中国民用航空学院, 天津 300300
3 中国科学院西安光机所, 西安 710068
测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了0.78 eV、0.84 eV和0.93 eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。
光致发光 GaAs薄膜 深中心
1 中国科学院长春物理研究所, 长春 130021
2 中国民航学院, 天津 300300
3 中国科学院西安光学精密机械研究所, 西安 710068
通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13 eV和1.04 eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主对复合发光。由于发光带中存在着电子-声子耦合,所以应在施主-受主对复合发光能量表示式中计及France-Condon位移,从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合,确定了峰值为1.13 eV与1.04 eV这两个发光带深施主-受主对的束缚能之和分别为0.300 eV和0.401 eV。
近红外光致发光 深能级 异质外延GaAs／Si薄膜
1 中国民航学院, 长春 130021
2 河北半导体研究所, 天津 300300
3 河北半导体研究所, 石家庄 050051
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.
近红外光致发光 深能级 金属有机物化学气相沉积
