通过稳态光谱和时间分辨荧光光谱研究了巯基丙酸(MPA)分子对由量子点到ZnO纳米粒子薄膜的电荷转移过程的影响。研究发现，相对于CdSe纳米粒子薄膜样品，没有MPA分子参与作用的CdSe/ZnO薄膜样品和有MPA分子连接的CdSe/MPA/ZnO薄膜样品中都存在从CdSe量子点到ZnO纳米粒子薄膜的有效电荷分离过程，但是相对于CdSe/ZnO样品， CdSe/MPA/ZnO样品中电荷转移速率明显变小。这表明MPA分子本身它并不能促进CdSe到ZnO电荷分离过程，因此可以认为用金属氧化物薄膜直接吸附量子点吸收材料，将能获得高功率转换效率的量子点敏化太阳能电池。

以十二硫醇为溶剂，通过选择合适的金属源制备了各种尺寸的CuInS2量子点。观察到随着粒子的尺寸减小，其吸收和发光光谱明显蓝移，存在明显的量子尺寸效应。通过在CuInS2纳米晶表面包覆ZnS壳层，发现随着壳层厚度增加，其发光量子效率明显提高，最大达到了48%；继续增加壳层厚度，其发光量子效率反而降低。进一步测量它们的荧光寿命，发现包覆ZnS壳层后的CuInS2纳米晶的荧光寿命明显增加，证实表面包覆明显减少其表面的无辐射复合中心，提高了其发光效率。进一步制备了CuInS2/ZnS核壳量子点发光二极管，并对其电致发光性质进行了研究。

对蓝光芯片加黄色荧光粉制备白光LED方法的流明效率进行了理论计算。根据光度学原理，我们考虑到视觉函数V(λ)的修正，以色坐标为x=0.325，y=0.332，显色指数为81.5，色温为5 914 K的白光LED发光光谱为依据，计算了白光LED流明效率的理论极限：得出每瓦白光LED辐射光功率产生的光通量为298.7 lm，白光LED发射的总光子数为2.7×1018。在理想情况下，注入一个电子-孔穴对产生一个蓝光光子，设荧光粉的量子效率为1，因此，注入的电子-孔穴对数亦等于白光光子数，进而计算出白光LED每辐射1 W的光功率所需的电功率为1.51 W，上述白光LED发光光谱对应的白光LED的电-光转换的理论极限流明效率为197.8 lm/W。

测量了Si衬底上生长的GaAs薄膜中与深中心有关的发光带的变温光谱，研究了0.78 eV、0.84 eV和0.93 eV发光带的峰值位置和发光强度随着温度的变化关系，发现它们的发光强度随温度的变化服从描述非晶半导体中局域态发光的公式。最后讨论了这些发光带的来源。

通过对用MOCVD(金属有机物化学气相沉积)方法在Si衬底上生长的GaAs外延薄膜,用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为1.13 eV和1.04 eV两个带谱的发光特性,表明这两个带均属于施主-受主对复合发光。由于发光带中存在着电子-声子耦合,所以应在施主-受主对复合发光能量表示式中计及France-Condon位移,从而对复合发光能量表示式进行修正。通过对复合发光带能量随激发强度变化的实验曲线和理论表达式的拟合,确定了峰值为1.13 eV与1.04 eV这两个发光带深施主-受主对的束缚能之和分别为0.300 eV和0.401 eV。

测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关的发光带,其峰值能量分别为1.17,0.99和0.85eV.研究了这些发光带的发光强度,峰值位置和半宽度随温度的变化关系,并初步分析其来源.