提出用X射线荧光光谱法测定浮法玻璃上镀层厚度及其各层成分含量的分析研究, 对样品各层元素的测定条件、 仪器工作条件等进行了设置调整, 以期对每个元素的测定效果达到最佳。 建立了膜层试样的背景基本参数(BG-FP)法, 测定结果与实际制备条件吻合, 适用于生产应用。

利用X射线荧光光谱法对白玫瑰花、 红玫瑰花, 白康乃馨、 红康乃馨, 白蝴蝶兰、 红蝴蝶兰3个品种6个粉末样品中元素的种类和含量进行测定, 并就每组样品的测定结果进行分析比对。 结果表明, 3个品种的花瓣粉末中均未检测出有毒元素的存在, 且花瓣粉末中元素含量丰富; 除含有常量元素外, 还含有如Fe, Cu, Zn, Mn, Ni, Si, Sr, Rb等多种微量元素, 但3个品种的微量元素的种类及含量有所差异; 同一品种的花瓣粉末中元素的种类大致相同, 而元素含量却各有差异, 白色比红色中元素含量高。

研究了氢氧化钠介质皂化条件下， 用草酸溶液从负载铈的P507有机相中直接反萃取沉淀铈的试验结果。 利用红外光谱（IR）、 X射线衍射（XRD）、 扫描电子显微镜（SEM）及热重-差热分析仪（TG-DSC）等手段， 对反萃所得铈沉淀物及最终焙烧产物的物相、 形貌和热失重等进行了分析、 测试与表征。 实验结果表明： 沉淀有机相为球形有机铈的配合物， 焙烧产物为球形的立方晶系的CeO2晶体， 说明前驱物与产物形貌有遗传继承性。 IR证实了萃合物的结构与最终CeO2晶体结构完全不同， 热重表明吸附水失重为3.5%， 所得最终产物的化学组成为CeO2·1/3H2O。

在均相沉淀法制备含铈化合物的过程中,利用XRD和IR尤其是XPS研究了含Ce化合物在不同焙烧温度条件下产物的结构、铈离子的价态变化、化合物表面性质及其内核电子构型。 XRD结果表明,焙烧温度的不同可产生不同的铈基化合物,导致产物中Ce离子价态的变化,IR结果也证实了这一点。 单纯均相沉淀法得到的产物为三价的斜方晶系的单晶Ce2O(CO3)2·H2O(Ⅲ)微粒;将三价的Ce2O(CO3)2·H2O加热到200℃,产物转化成高价态六价化合物CeO(CO3)2·H2O(Ⅵ);加热温度再升高到250℃,产物转化为稳定的四价化合物CeO2(Ⅳ)。 XPS通过对3种不同价态化合物的O(1s),Ce(3d),Ce(4d)峰进行精细扫描,研究了产物的表面性质及其内部电子构型, 比较结果证实了不同价态铈化合物的形成是由于内核价电子构型的差异引起的。

为了研究镧钼阴极表面发射机制，采用专为研究阴极设计的与俄歇能谱仪相连的脉冲激光沉积装置制备薄膜阴极。通过测量阴极发射性能和原位分析表面成分(原子数分数)，研究了阴极表面元素镧La和氧O变化对阴极发射性能的影响。实验发现随着阴极表面镧膜变薄，阴极发射性能逐渐减弱；阴极发射性能与表面元素La，O的含量有关，表面层中La／O越高，阴极的发射性能越好。结果表明，传统的单原子层理论无法解释镧钼阴极的发射机制；超额镧在镧钼阴极的发射中起到了关键作用。